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本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器。该半导体结构包括：衬底；沟道层，至少部分沿垂直于衬底的方向延伸；第一电极，与沟道层接触；第二电极，围设在沟道层的外周，第二电极与沟道层接触，并与第一电极绝缘；其中：第一电极包括第一导电层...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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