【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及电子装置，并且更具体地，涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度由单位存储器单元所占据的面积确定。近来，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经考虑用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种三维半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在一个实施方式中，一种半导体装置可以包括：第一栅极结构；第二栅极结构；隔离绝缘结构，其被配置为在第一栅极结构和第二栅极结构之间在第一方向上延伸，并且在与第一方向交叉的第二方向上具有第一宽度；以及第一支撑件，其位于第一栅极结构和第二栅极结构之间，并且被配置为在第二方向上具有大于第一宽度的第二宽度，其中，隔离绝缘结构可以突出到第一支撑件中。
2、在另一实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；在层叠物中形成第一开口；形成位于第一开口之间的第二开口，并且第二开...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件的侧壁包括凹陷部，并且所述隔离绝缘结构延伸到所述凹陷部中。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在平面图中，所述第一支撑件具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在平面图中，所述第一支撑件具有椭圆形形状，并且包括沿着所述第一方向延伸的短轴和沿着所述第二方向延伸的长轴。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件的侧壁包括位于所述短轴上的凹陷部。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件的侧壁包括凹陷部，并且所述隔离绝缘结构延伸到所述凹陷部中。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在平面图中，所述第一支撑件具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在平面图中，所述第一支撑件具有椭圆形形状，并且包括沿着所述第一方向延伸的短轴和沿着所述第二方向延伸的长轴。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件的侧壁包括位于所述短轴上的凹陷部。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件位于一对隔离绝缘结构之间，所述一对隔离绝缘结构中的至少一个包括所述隔离绝缘结构，并且所述一对隔离绝缘结构突出到所述第一支撑件中。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件的侧壁包括一对凹陷部，并且所述一对隔离绝缘结构分别延伸到所述凹陷部中。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件具有椭圆形形状，并且所述一对凹陷部沿着具有所述椭圆形形状的所述第一支撑件的短轴彼此面对。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离绝缘结构在所述隔离绝缘结构的侧壁上包括不规则物。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离绝缘结构在所述隔离绝缘结构的侧壁上包括凸部和凹部。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件包括氧化物。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件位于所述第一栅极结构的接触区域和所述第二栅极结构的接触区域之间。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
14.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述第一开口和所述第二开口在第一方向上布置，并且
16.根据权利要求14所述的制造方法，其中，在形成所述第一开口时，形成所述第二开口。
17.根据权利要求14所述的制造方法，其中，在形成所述第二开口的步骤中，所述第一开口中的至少一个第一开口被选择性地扩展以形成至少一个第二开口。
18.根据权利要求17所述的制造方...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩允哲，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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