一种石英/GaON/Spiro-MeOTAD异质结自供电深紫外探测器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石英/GaON/Spiro‑MeOTAD异质结自供电深紫外探测器件及制备方法，该探测器件依次包括石英衬底，GaON纳米网，位于GaON纳米网上的Spiro‑MeOTAD薄膜层，位于Spiro‑MeOTAD薄膜层上的第一测试电极，以及位于GaON纳米网上的第二测试电极，所述GaON纳米网与Spiro‑MeOTAD薄膜层接触面形成GaON/Spiro‑MeOTAD异质结，构成内建电场，以分离光生载流子。本发明专利技术的探测器件不需外接电压源，可在自供电模式下工作，具有优异的光暗比和快速的响应速度，在高压输电线电弧、电晕、电火花等日盲紫外线信号检测领域具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电探测器件，具体涉及一种石英/gaon/spiro-meotad异质结自供电深紫外探测器件及其制备方法。

技术介绍

1、氧化镓(ga2o3)具有4.5-4.9ev的超宽带隙，良好的化学和热稳定性，以及对深紫外光子的强吸收系数，使其成为深紫外光探测应用的最佳材料。然而，在生长过程中，ga2o3不可避免地引入了氧空位，这对内在载流子调控、p型掺杂、和稳定肖特基触点的形成构成了重大挑战。为了抵消氧空位的不利影响，通过价带杂化调制的阴离子合金化工程是一种有效手段。通过在ga2o3中掺入高p轨道能级的n，形成gaon-薄膜，有效地屏蔽了与氧空位相关的杂质水平。这种方法显著减轻了氧空位相关缺陷的影响，提高了材料在深紫外光探测中的性能。

2、到目前为止，基于gaon的日盲探测器件的构建主要局限于金属-半导体-金属(msm)结构，存在易于制造和集成等优点。但是，msm结构具有响应时间慢，且需要外部偏压等限制，相比之下，异质结光电探测器件表现出多样化的结构和更快的响应速度，提供了一个有希望的替代方案。此外，传统的异质结探测器件存在晶格失配度大、界本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石英/GaON/Spiro-MeOTAD异质结自供电深紫外探测器件，其特征在于，该探测器件包括石英衬底(1)、GaON纳米网(2)、Spiro-MeOTAD薄膜层(3)、第一测试电极(4)、第二测试电极(5)。

2.根据权利要求1所述深紫外探测器件，其特征在于，所述GaON纳米网位于所述石英衬底(1)上，所述Spiro-MeOTAD薄膜层(3)位于GaON纳米网(2)一侧上方，在所述Spiro-MeOTAD薄膜层(3)上蒸镀第一测试电极(4)，所述GaON纳米网(2)另一侧上方为第二测试电极(5)，所述GaON纳米网(2)与所述Spiro-MeOTAD薄膜层(3)形成...

【技术特征摘要】

1.一种石英/gaon/spiro-meotad异质结自供电深紫外探测器件，其特征在于，该探测器件包括石英衬底(1)、gaon纳米网(2)、spiro-meotad薄膜层(3)、第一测试电极(4)、第二测试电极(5)。

2.根据权利要求1所述深紫外探测器件，其特征在于，所述gaon纳米网位于所述石英衬底(1)上，所述spiro-meotad薄膜层(3)位于gaon纳米网(2)一侧上方，在所述spiro-meotad薄膜层(3)上蒸镀第一测试电极(4)，所述gaon纳米网(2)另一侧上方为第二测试电极(5)，所述gaon纳米网(2)与所述spiro-meotad薄膜层(3)形成gaon/spiro-meotad异质结，构成内建电场，以分离光生载流子。

3.一种如权利要求1或2所述石英/gaon/spiro-meotad异质结自供电深紫外探测器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法的步骤包含如下：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤二中的镓源为金属镓颗粒，纯度为99.999％；氧气气流量范围为1～10sccm，氮气气流量范围为10～100sccm，氩气气流流量范围1～100sccm。

5.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴然红，王顺利，杨军，胡海争，张鑫江，郑明山，夏紫辉，
申请(专利权)人：浙江富乐德石英科技有限公司，
类型：发明
国别省市：