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本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括：第一栅极结构；第二栅极结构；隔离绝缘结构，其被配置为在第一栅极结构和第二栅极结构之间在第一方向上延伸，并且在与第一方向交叉的第二方向上具有第一宽度；以及第一支撑件，其位于第...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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