【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长，特别是涉及一种碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法。
技术介绍
1、sic作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、饱和电子速度高、热导率高、化学性能稳定等优异的物理性能，是制备高温、高频、大功率半导体器件的理想材料，广泛应用于新能源汽车、5g通讯、航空航天等领域，填补了传统半导体器件在实际应用中的不足。现有sic晶体的生长方法主要有物理气相传输法（pvt法），高温化学气相沉积法（htcvd）和溶液生长法（也叫助熔剂法）。其中，pvt法技术比较成熟，是目前工业上生长sic晶体的主流方法。但该方法生长温度和能耗都较高，且生长出的晶体通常伴随着微观等缺陷，晶体良率较低。htcvd法生长sic晶体温度较低且相对更易于控制，但其生长速率较慢，晶体尺寸较小，不适合大规模产业化需求。相比较下，溶液法生长sic晶体是一种接近于热力学平衡状态下进行的晶体生长方法，其生长出的晶体具有较低的缺陷密度，能有效避免pvt法生长sic晶体时存在的微观缺陷，但c在si熔体中的溶解度极低，简单的依靠si-c熔体进...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体生长用助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金；
2.根据权利要求1所述的助熔剂，其特征在于，所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比不小于7:3；
3.一种立方碳化硅晶体，其特征在于，所述立方碳化硅晶体由包含权利要求1或2所述的助熔剂和硅的原料经液相法生长得到。
4.根据权利要求3所述的立方碳化硅晶体，其特征在于，所述立方碳化硅晶体的生长温度为1300~1550℃。
5.一种权利要求3或4所述的立方碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括如下步骤：
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长用助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金；
2.根据权利要求1所述的助熔剂，其特征在于，所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比不小于7:3；
3.一种立方碳化硅晶体，其特征在于，所述立方碳化硅晶体由包含权利要求1或2所述的助熔剂和硅的原料经液相法生长得到。
4.根据权利要求3所述的立方碳化硅晶体，其特征在于，所述立方碳化硅晶体的生长温度为1300~1550℃。
5.一种权利要求3或4所述的立方碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张泽盛，龚春生，王国宾，
申请(专利权)人：北京晶格领域半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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