【技术实现步骤摘要】
本申请涉及外延生长，具体而言，涉及一种外延生长系统。
技术介绍
1、相关技术通常利用化学气相沉积法在衬底上生长一层高质量的外延膜，以在碳化硅衬底上生长碳化硅薄膜为例，硅源和碳源会在高温下分解形成副产物，该副产物需要利用干泵经由排气管排放至尾气处理设备进行尾气处理，为了使反应室内的气压稳定在预设气压附近，相关技术需要利用设置在排气管上的蝶阀对反应室的气压进行调节。
2、为了避免出现由于蝶阀上沉积的副产物过多而导致反应室的气压调节精度逐渐下降，反应室的气压不可控，蝶阀受损以及由于大量的副产物直接排放到干泵内，干泵具备的氮气吹扫功能无法及时将副产物排出而导致需要频繁对干泵进行维护的情况，相关技术在蝶阀前设置过滤装置，该过滤装置通常为粉尘过滤器，但随着粉尘过滤器中的副产物增多，尾气在粉尘过滤器的流动通畅度下降，此时无法利用蝶阀对反应室的气压进行精确调节，因此相关技术需要定期将粉尘过滤器拆下，并对粉尘过滤器进行维护，由于在对粉尘过滤器进行拆卸和安装以及对粉尘过滤器进行维护时，反应室无法进行外延生长工艺，而对粉尘过滤器进行拆卸和安装以及...
【技术保护点】
1.一种外延生长系统，其特征在于，所述外延生长系统包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长系统，其特征在于，所述第三真空管道的输出端与所述干泵的输入端连通，所述外延生长系统还包括第四开关阀，所述第四开关阀安装在所述第三真空管道上且位于所述粉尘过滤器的输出端后，所述控制器在所述反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制所述反应室停止外延生长工艺、控制所述第一开关阀以及所述第二开关阀关闭和控制所述第三开关阀打开，并控制所述第一吹扫组件对所述简易过滤器进行吹扫的过程包括：
3.根据权利要求2所述的外延生长系统，其特征在于，所述外延生长...
【技术特征摘要】
1.一种外延生长系统，其特征在于，所述外延生长系统包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长系统，其特征在于，所述第三真空管道的输出端与所述干泵的输入端连通，所述外延生长系统还包括第四开关阀，所述第四开关阀安装在所述第三真空管道上且位于所述粉尘过滤器的输出端后，所述控制器在所述反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制所述反应室停止外延生长工艺、控制所述第一开关阀以及所述第二开关阀关闭和控制所述第三开关阀打开，并控制所述第一吹扫组件对所述简易过滤器进行吹扫的过程包括：
3.根据权利要求2所述的外延生长系统，其特征在于，所述外延生长系统还包括第五开关阀，所述第五开关阀安装在所述第二真空管道上且位于第二真空管道与所述第三真空管道的汇流处以及所述干泵的输入端之间。
4.根据权利要求1所述的外延生长系统，其特征在于，所述第一真空管道的管径大于所述排气管的管径。
5.根据权利要求4所述的外延生长系统，其特征在于，所述第一真空管道靠近所述排气管的一端具有朝向所述第一真空管道扩张的扩张段。
6.根据权利要求1所述的外延生长系统，其特征在于，所述外...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛朝斌，唐卓睿，罗骞，胡承，伍三忠，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：
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