【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体硅片加工，具体地，涉及将硅片在外延基座上对中的方法、系统及设备。
技术介绍
1、外延片是用于制造半导体器件的关键材料，其通过化学气相沉积技术在衬底硅片上生长一层薄膜来制备。在进行化学气相沉积时，硅片通过传送装置被传送到外延腔室内的外延基座上，并通过外延基座的旋转带动硅片旋转，由此，通过化学气相沉积反应在硅片上形成均匀的外延层。
2、平坦度是衡量外延片质量的重要指标。平坦度的恶化主要出现在外延片的边缘，这与硅片在外延基座上的位置关系密切。当硅片未被居中放置在外延基座上时，该硅片的边缘的各个区域在外延生长过程中的沉积速率是不同的。距外延基座的边沿越远，气流在间距区域汇聚越多，沉积速率越大，所形成的外延层的相应区域的厚度越大，而距外延基座的边沿越近，气流在间距区域汇聚越少，沉积速率越小，所形成的外延层的相应区域的厚度越小，从而导致外延片的平坦度出现异常。
3、目前，当出现硅片在外延基座上不居中的情况时，利用间隙检查(gap check)工艺来确定硅片在外延基座上的偏移情况并进行相应调整。具体而言，在间隙...
【技术保护点】
1.一种将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，所述外延腔室的前后方向与横向气流方向平行。
4.根据权利要求3所述的将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，所述偏移数据包括第一偏移数据和第二偏移数据，所述第一偏移数据根据分别与所述外延腔室的左区域和右区域对应的两个所述和值之差确定，并且所述第二偏移数据根据分别与所述外延腔室的前区域和后区域对应的两个所述和值之差确定。
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【技术特征摘要】
1.一种将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，所述外延腔室的前后方向与横向气流方向平行。
4.根据权利要求3所述的将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，所述偏移数据包括第一偏移数据和第二偏移数据，所述第一偏移数据根据分别与所述外延腔室的左区域和右区域对应的两个所述和值之差确定，并且所述第二偏移数据根据分别与所述外延腔室的前区域和后区域对应的两个所述和值之差确定。
5.根据权利要求4所述的将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，所述基于所述偏移数据，调整待生长外延的第二硅片在...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海博，俎世琦，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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