【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体生长，具体为一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置及控制方法。
技术介绍
1、随着碳化硅应用的不断普及，碳化硅的生长设备也在不断完善，以满足实际生产使用，碳化硅晶体炉用于对碳化硅晶体的生长，其主要包括炉体、电磁感应加热线圈和坩埚等，在使用时，将碳化硅晶体原料放置在坩埚内，坩埚位于炉体内，从而通过电磁感应加热线圈对碳化硅晶体原料进行加热，以使碳化硅晶体生长。
2、熔化后的碳化硅晶体原料通过引晶，拉晶步骤，晶柱逐渐变长，同时坩埚内的原料液面也逐渐下降，硅溶液原料液面会变浅，静止不动的坩埚，使得硅溶液原料难以形成等径的晶柱体，直接影响到晶柱体的制备质量。
3、公开号为cn114921847b公开了一种碳化硅立式感应合成炉用坩埚自动升降装置，其使坩埚上升，保证液面的高度，从而保证原料液面与晶柱体下端的有效接触，继而保证晶柱体的等径生长，且有效缓解升降机构瞬间启停时带来的震动，有效的避免了锅体内原料摆动等，公开号为cn219670716u公开了一种碳化硅晶体生长炉加热模块升降机构，其通过调节加热高频线圈的高度...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，包括台体、设置在台体顶部的坩埚和套设在坩埚外侧的炉体，其特征在于，还包括拆装设置在炉体外壁的加热机构和设置在台体内部用于带动坩埚升降的升降机构，所述台体的顶部固定设有隔热座，隔热座的顶部套设有用于放置坩埚的放置座，炉体的内壁套设在隔热座的外侧，升降机构包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，其特征在于，所述抬升组件还包括：
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，其特征在于，所述升降机构还包括：
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，包括台体、设置在台体顶部的坩埚和套设在坩埚外侧的炉体，其特征在于，还包括拆装设置在炉体外壁的加热机构和设置在台体内部用于带动坩埚升降的升降机构，所述台体的顶部固定设有隔热座，隔热座的顶部套设有用于放置坩埚的放置座，炉体的内壁套设在隔热座的外侧，升降机构包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，其特征在于，所述抬升组件还包括：
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，其特征在于，所述升降机构还包括：
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，其特征在于，所述加热机构包括套设在炉体外侧壁的第一线圈和第二线圈、用于对第一线圈和第二线圈进行限位的限位组件以及用于连接第一线圈和第二线圈的连接组件，第一线圈位于第二线圈的底部，限位组件包括：
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置，其特征在于，所述第一限位件、第二限位件和第三限位件均呈环形设计，且第二限位件的内侧向顶部凸出，第三限位...
【专利技术属性】
技术研发人员：李再兴，李端科，李浩毅，
申请(专利权)人：中能兴盛香河机电设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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