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本公开涉及将硅片在外延基座上对中的方法、系统及设备。在一方面中，提出了一种将硅片在外延基座上对中的方法，其包括：根据由第一硅片在外延基座上经过外延生长而获得的外延片的四个等分区各自的多个ERO结果的和值，确定第一硅片相对于外延基座的偏移数据...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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