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本发明提供了一种碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金：所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比为1:9~9:1。本发明提供的助熔剂可以降低碳化硅晶体的生长的温度，实...
该专利属于北京晶格领域半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京晶格领域半导体有限公司授权不得商用。

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