一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块制造技术

本发明专利技术涉及一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，包括：下DBC基板和上DBC基板；下DBC基板包括下AIN基板和下金属板；上DBC基板包括上AIN基板和上金属板；下金属板和上金属板均包括：DC+端子金属层、DC‑端子金属层、多个AC端子金属层以及多个驱动金属层。本发明专利技术通过铜桥连接上金属板中的多个AC端子金属层，以降低AC端子金属层的面积，实现减小功率模块的寄生电容。并通过将DC+端子金属层和DC‑端子金属层相对设置，使得电流互感相消，以降低模块内部的寄生电感，从而实现同时具有低寄生电容和低寄生电感。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率模块，具体涉及一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块。

技术介绍

1、碳化硅器件作为一种宽禁带半导体器件，拥有更小的寄生电容和更快的开关速度。寄生电感问题是碳化硅模块的一个关键挑战。寄生电容会造成较大的位移电流，增加功率模块的开关损耗，而且寄生电容还会把噪声耦合到dc+、dc-直流母线以及栅极驱动电路上，增大电磁干扰。此外，较快的开关速度还会因寄生电感带来较大的电压过冲，增加功率模块的功耗，降低其可靠性。

2、为了减少功率模块寄生电容的影响，现有技术通过优化封装结构以降低寄生电容。虽然优化封装结构可以降低寄生电容，但同时也会带来寄生电感的影响。寄生电感会引发电压过冲和振荡，进一步增加开关损耗和电磁干扰。

3、因此，如何在降低寄生电容的同时，减小寄生电感的影响，仍然是一个亟待解决的关键挑战。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，包括：下DBC基板和上DBC基板；

2.根据权利要求1所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述下金属板(102)中的DC+端子金属层包括第一DC+端子金属层(1D)；

3.根据权利要求2所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述第一DC+端子金属层(1D)包括第一矩形部和第二矩形部；其中，所述第一矩形部垂直于所述下金属板(102)的第一中轴线设置，所述第二矩形部垂直连接在所述第一矩形部一侧的中间，且所述第二矩形部的轴线与所述下金属板(10...

【技术特征摘要】

1.一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，包括：下dbc基板和上dbc基板；

2.根据权利要求1所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述下金属板(102)中的dc+端子金属层包括第一dc+端子金属层(1d)；

3.根据权利要求2所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述第一dc+端子金属层(1d)包括第一矩形部和第二矩形部；其中，所述第一矩形部垂直于所述下金属板(102)的第一中轴线设置，所述第二矩形部垂直连接在所述第一矩形部一侧的中间，且所述第二矩形部的轴线与所述下金属板(102)的第一中轴线重合；所述第一矩形部的两端分别设置有第一下管碳化硅芯片(1b)和第二下管碳化硅芯片(2b)；所述第二矩形部远离所述第一矩形部的一端设置有第一dc+端子(304)；

4.根据权利要求3所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述上金属板(202)中的dc+端子金属层包括第二dc+端子金属层(4h)；

5.根据权利要求4所述的一种具有低寄生电容和低寄生电感的双面散热功率模块，其特征在于，所述第一下管碳化硅芯片(1b)，源极通过第一钼化物(1a)连接所述第三ac端子金属层(2h)，漏极固定连接所述第一dc+端子金属层(1d...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁嵩，王佳杭，江希，胡清荣，赵园芝，王颖，弓小武，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：