【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容涉及一种用于测试封装基板的方法和设备。更特定而言，本文描述的具体实施方式涉及通过使用电子束对封装基板（即，面板级封装（plp）基板或先进封装（ap）基板）中的电互连件进行非接触测试，特定而言是用于识别和表征缺陷，例如短路、开路和/或漏电。特定而言，本公开内容的具体实施方式涉及测试封装基板的方法，封装基板是面板级封装基板或先进封装基板，涉及根据本文描述的方法测试封装基板的设备，以及用于非接触地测试封装基板的设备。
技术介绍
1、在许多应用中，需要检查基板以监控基板的品质。由于缺陷可能例如在基板的处理过程中出现，例如在基板的结构化或涂覆过程中，检查基板以检查缺陷和监测质量可能是有益的。
2、用于制造复杂微电子和/或微机械部件的半导体封装基板和印刷电路板，通常在制造期间和/或之后进行测试以确定基板处提供的金属路径和互连中的缺陷，例如短路或开路。例如，用于制造复杂微电子器件的基板可以包括多个互连路径，用于连接要安装在封装基板上的半导体芯片或其他电子器件。
3、用于测试此类部件的各种方法是已知的。例如，待测部件的...
【技术保护点】
1.一种用至少一个电子束柱（120）测试封装基板（10）的方法，所述封装基板是面板级封装基板或先进封装基板，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一撞击角θ1为0°≤θ1<45°，特别是0°≤θ1<22.5°，并且其中所述第二撞击角θ2为45°≤θ2≤90，特别是67.5°≤θ2≤90。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述一个或多个第一表面接触点具有第一直径D1，并且所述第一束直径BD1为BD1≤0.25×D1，特别是BD1≤0.10×D1。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用至少一个电子束柱（120）测试封装基板（10）的方法，所述封装基板是面板级封装基板或先进封装基板，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一撞击角θ1为0°≤θ1<45°，特别是0°≤θ1<22.5°，并且其中所述第二撞击角θ2为45°≤θ2≤90，特别是67.5°≤θ2≤90。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述一个或多个第一表面接触点具有第一直径d1，并且所述第一束直径bd1为bd1≤0.25×d1，特别是bd1≤0.10×d1。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述一个或多个第二表面接触点具有第二直径d2，并且所述第二束直径bd2为0.5×d2<bd2≤d2，特别是0.75×d2<bd2≤d2。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述电子束（111）被引导到所述一个或多个第一表面接触点的第一相对位置，且其中所述电子束（111）被引导到所述一个或多个第二表面接触点的第二相对位置，其中所述第二相对位置不同于所述第一相对位置。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述一个或多个第一表面接触点具有凸形形貌，所述凸形形貌具有第一直径d1和第一顶点ap1，特别是中央第一顶点，并且其中所述第一相对位置在围绕所述第一顶点ap1的第一区域a1内，其中a1≤(d1/4)2×π，特别是a1≤(d1/8)2×π。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其中所述一个或多个第二表面接触点具有凸形形貌，所述凸形形貌具有第二直径d2和第二顶点ap2，特别是中央第二顶点，并且其中所述第二相对位置在围绕所述第二顶点ap2的第二区域a2内，其中[(d2/2)2×π-(d2/4)2×π]≤a2≤[(d2/2)2×π-(d2/8)2×π]。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述着陆能量upe被选为en2<upe<en2’，其中en2是对应于所述撞击角θ=0°时总电子产率为1的着陆能量的所述第二中性能量值，并且其中en2’是对应于所述撞击角θ=90°时总电子产率为1的着陆能量的所述第二中性能量值，特别是，其中所述着陆能量upe位于en...
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