【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及集成电路及其形成方法，且特定来说，在一或多个实施例中，本公开涉及在源极最后制造方案中具有源极侧分段的存储器阵列结构及其制造方法。
技术介绍
1、集成电路装置横贯广泛的电子装置。一种特定类型包含存储器装置，通常简称为存储器。存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、同步动态随机存取存储器(sdram)及快闪存储器。
2、快闪存储器已发展成为广泛电子应用的非易失性存储器的流行来源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。通过电荷存储节点(例如，浮栅或电荷陷阱)的编程(其通常被称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)，存储器单元的阈值电压(vt)的变化确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(pda)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、家用电器、交通工具、无线...
【技术保护点】
1.一种存储器阵列结构，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器阵列结构，其进一步包括：
3.根据权利要求1所述的存储器阵列结构，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的存储器阵列结构，其中所述多个隔离结构中的相应隔离结构形成在所述多个存储器单元子块中的每一对相邻存储器单元子块的所述相应第二沟道材料结构之间。
5.根据权利要求1所述的存储器阵列结构，其中所述多个存储器单元子块中的一个存储器单元子块的所述相应第一沟道材料结构包括空心结构。
6.根据权利要求5所述的存储器阵列结构，其中所述多个存储器单元子块中的每...
【技术特征摘要】
1.一种存储器阵列结构，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器阵列结构，其进一步包括：
3.根据权利要求1所述的存储器阵列结构，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的存储器阵列结构，其中所述多个隔离结构中的相应隔离结构形成在所述多个存储器单元子块中的每一对相邻存储器单元子块的所述相应第二沟道材料结构之间。
5.根据权利要求1所述的存储器阵列结构，其中所述多个存储器单元子块中的一个存储器单元子块的所述相应第一沟道材料结构包括空心结构。
6.根据权利要求5所述的存储器阵列结构，其中所述多个存储器单元子块中的每一存储器单元子块进一步包括：
7.根据权利要求5所述的存储器阵列结构，其中所述一个存储器单元子块的所述相应第一沟道材料结构形成为内衬于相应数据存储结构。
8.根据权利要求7所述的存储器阵列结构，其中所述一个存储器单元子块的所述相应串联连接存储器单元串的每一存储器单元及所述相应多个第一晶体管中的每一第一晶体管包括形成为包围其相应数据存储结构及其相应第一沟道材料结构的相应控制栅极。
9.根据权利要求5所述的存储器阵列结构，其中所述一个存储器单元子块的所述相应第二沟道材料结构包括实心结构。
10.根据权利要求1所述的存储器阵列结构，其中对于所述多个存储器单元子块中的每一存储器单元子块，经配置以激活所述存储器单元子块的所述相应多个第一晶体管中的每一第一晶体管的阈值电压模式进一步经配置以取消激活所述多个存储器单元子块中的每一其余存储器单元子块的所述相应多个第一晶体管中的至少一个第一晶体管。
11.根据权利要求1所述的存储器阵列结构，其中一个存储器单元子块的所述相应串联连接存储器单元串的每一存储器单元及所述相应多个第一晶体管中的每一第一晶体管配置为可编程以更改其阈值电压，且其中所述多个第二晶体管中的每一第二晶体管配置为不可编程的。
12.一种存储器阵列结构，其包括：
13.根据权利要求12所述的存储器阵列结构，其中对于所述多个存储器单元子块中的每一存储器单元子块，通过形成在所述存储器单元子块的所述相应第二晶体管的所述控制栅极与所述多个存储器单元子块中的每一紧邻存储器单元子块的所述相应控制栅极之间的相应隔离结构来将所述存储器单元子块的所述相应第二晶体管的所述控制栅极与所述多个存储器单元子块中的每一紧邻存储器单元子块的所述相应控制栅极隔离。
14.根据权利要求12所述的存储器阵列结构，其中所述多个存储器单元子块中的每一存储器单元子块包括：
15.根据权利要求12所述的存储器阵列结构，其中对于所述多个存储器单元子块中的每一存储器单元子块，其相应沟道材料结构以选自由直接连接及通过与其相应沟道材料结构的内侧壁接触的导电插塞连接到所述共源极组成的群组的方式连接到所述共源极。
16.一种形成存储器阵列结构的方法：
17.根据权利要求16所述的方法，其中形成上覆于载体衬底的所述多个第一沟道材料结构，形成所述相应多个串联连接存储器单元以包围所述多个第一沟道材料结构中的每一第一沟道材料结构，及形成所述相应多个串联连接第一晶体管以包围所述多个第一沟道材料结构中的每一第一沟道材料结构包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述多个第二沟道材料结构，及形成所述多个第二晶体管包括：
19.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一沟道材料结构是空心结构，所述方法进一步包括：
21.一种存储器阵列结构，其包括：
22.根据权利要求21所述的存储器阵列结构，其进一步包括：
23.根据权利要求21所述的存储器阵列结构，其进一步包括：
24.根据权利要求23所述的存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·泰萨里欧，R·J·希尔，A·S·叶，库诺·派瑞克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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