３００ｍｍ立式氧化炉石英舟旋转装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种３００ｍｍ立式氧化炉石英舟旋转装置，设有步进电机，石英舟的下方设有ＳｉＣ转盘，在该ＳｉＣ盘的底部中央设有固定轴，固定轴的下端设有带轮，该带轮通过传动带与步进电机传动连接；在固定轴的下部设有舟旋转定位装置，上部设有密封腔，密封腔设有进出气管，ＳｉＣ转盘的下面设有带水冷却腔炉门，炉门底部固定设有轴罩，在轴罩的底端与ＳｉＣ转盘的固定轴之间设有密封环；在炉门下面设有数个缓冲器，在炉门四周下面还设有密封挡板。本发明专利技术适用于３００ｍｍ立式氧化炉石英舟的旋转装置，结构完善，控制灵活，水平、垂直位置控制精确。从而使硅片受热均匀，提高了硅片膜厚均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种用于300mm硅片热处理的氧化炉设备，具体的是一种用于300mm硅片氧化处理的立式氧化炉中石英舟旋转装置。
技术介绍
氧化炉是给硅片进行氧化、退火等热处理工艺的半导体设备，现用的氧化炉，大都 是卧式结构，其温度均勻性及控温精度不够理想，操作和控制不够精确灵活，自动化程度 低、生产效率和产品质量不够高，不能适应300mm硅片的生产需求。因此，需要提出一种结 构改进的立式氧化炉。在此前的立式氧化炉的石英舟升降机构上，石英舟在工艺过程中是 不带旋转的，石英舟在升降机构上只做上升、下降运动，造成硅片表面的温度、气体浓度均 不够均勻，影响产品质量。在300mm硅片生产线上影响尤为严重。因此，需要对其进行改进。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术问题，提出一种300mm立式氧化炉石英舟 旋转装置，该装置结构科学、设计新颖、完善适用，位置控制灵活精确，有力地改善了硅片表 面的温度及气体的均勻性状态，大大提高了硅片氧化膜的质量。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的300mm立式氧化炉石英舟旋转装 置，其特征在于设有步进电机，在石英舟的下方设有SiC转盘，在该SiC盘的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种３００ｍｍ立式氧化炉石英舟旋转装置，其特征在于：设有步进电机（２），在石英舟的下方设有ＳｉＣ转盘（１），在该ＳｉＣ盘的底部中央设有固定轴（１．１），固定轴的下端设有带轮（１．２），该带轮通过传动带（２．１）与步进电机传动连接；在所述固定轴的下部设有舟旋转定位装置（３），在固定轴的上部设有包裹在固定轴外围的密封腔（４），密封腔设有氮气进、出气管（４．１）与外面氮气气源连通；在所述ＳｉＣ转盘的下面设有炉门（５），在该炉门中设有水冷却腔（５．１），炉门底部固定设有轴罩（５．２），该轴罩包覆在密封腔的外面，并在轴罩的底端与所述ＳｉＣ转盘的固定轴之间设有密封环（５．３）；在炉门下面设有数个缓冲器（６...

【技术特征摘要】
一种300mm立式氧化炉石英舟旋转装置，其特征在于设有步进电机(2)，在石英舟的下方设有SiC转盘(1)，在该SiC盘的底部中央设有固定轴(1.1)，固定轴的下端设有带轮(1.2)，该带轮通过传动带(2.1)与步进电机传动连接；在所述固定轴的下部设有舟旋转定位装置(3)，在固定轴的上部设有包裹在固定轴外围的密封腔(4)，密封腔设有氮气进、出气管(4.1)与外...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟华，赵星梅，董金卫，王喆，赛义德赛迪，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]