【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种监控晶圆形貌的方法、设备。
技术介绍
1、晶圆减薄后的厚度分布结构不均匀。如果减薄后，晶圆的区间厚度差异过大，呈形貌不规则的异常分布，则经过背面湿法清洗、离子注入、激光退火等多道工艺后容易发生裂片问题，进而导致产品报废。
2、现有技术通常采用监控晶圆厚度均值和厚度测量数据的最大值与最小值的差值(简称ttv)来监控所述待测晶圆的形貌，但是上述方法无法精确地反映晶圆外观形貌特征情况。
3、因此，提供一种适用于减薄后的晶圆的监控晶圆形貌的方法，对降低产品报废率、提高生产效率具有十分重要的价值。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种监控晶圆形貌的方法、设备，以解决减薄后的晶圆的形貌难以监控、产品报废率高的问题。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种监控晶圆形貌的方法，包括：沿待测晶圆表面径向取一条状测试区域；根据标准晶圆表面的厚度分布，将所述待测晶圆表面划分成多个凸起区域和凹陷区域，在所述条状测试区...
【技术保护点】
1.一种监控晶圆形貌的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条状测试区域穿过所述待测晶圆的圆心。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条状测试区域的一端位于所述待测晶圆的切口槽。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条状测试区域为多个并且每个所述条状测试区域都沿所述待测晶圆一径向分布。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测晶圆为减薄后的晶圆，所述标准晶圆为厚度符合标准的晶圆。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条状测试区域内的所述
【技术特征摘要】
1.一种监控晶圆形貌的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条状测试区域穿过所述待测晶圆的圆心。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条状测试区域的一端位于所述待测晶圆的切口槽。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条状测试区域为多个并且每个所述条状测试区域都沿所述待测晶圆一径向分布。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测晶圆为减薄后的晶圆，所述标准晶圆为厚度符合标准的晶圆。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条状测试区域内的所述点位均匀设置。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，位于同一个所述凸起区域或者所述凹陷区域内部的点位均匀设置，位于不同的所述凸起区域或者所述凹陷区域的点位分布不均匀。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，判断所述待测晶圆形貌异常后暂停机台运行。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，计算每个所述凸起区域或者每个所述凹陷区域的厚度平均值时选取的点位个数相同或者不相同...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴成，何勇，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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