【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种表面结构与其制造方法，特别是指一种耐电浆侵蚀的表面结构与其制造方法。
技术介绍
1、在半导体产业中，电浆技术广泛应用于半导体制程设备。随着制造工艺能力的提升，由于线宽的减小，对于抑制粒子污染的要求变得更加严格。因此，半导体设备制造商致力于研究在制程的真空腔体中抑制粒子产生的方法。目前，大多数半导体设备的真空腔体均由铝材料制成，表面经过电浆喷涂处理。然而，喷涂过程会产生大量孔洞，使得电浆能够沿着间隙渗透到腔体基材中。这种渗透会导致基材剥离并造成后续的粒子污染。此外，由于喷涂导致的高孔隙度和材料选择的限制，很难将其他元素纳入材料中，因此借由电浆喷涂提高真空腔体蚀刻耐受性的难度很大。
2、此外，虽然可以使用电子枪蒸镀的方式形成较致密之耐电浆腐蚀层，但电子枪蒸镀制程中通常会使用颗粒状靶材沉积薄膜，以致于靶材受电子枪加热汽化过程中，容易流失电子枪之热能，造成沉积速率不足，无法有效率地沉积满足组件薄膜所需的薄膜厚度。
3、因此，如何解决上述问题，便是本领域具有通常知识者值得去思量地。
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【技术保护点】
1.一种制备锭状靶材的方法，该锭状靶材适于置放在一电子枪蒸镀机之一靶槽内，其特征在于，该制备锭状靶材的方法包括：
2.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，该粉末材料是选自由Y2O3、YOF、YAG、及Al2O3所组成的群组。
3.如权利要求1或权利要求2所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，该粉末材料掺杂重量百分比为1-30％的镧系元素化合物，该镧系元素化合物选自由镧系元素之氧化物、氮化物、盐类化合物所组成的群组。
4.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，于(b)步骤中该有机溶剂可为极性溶剂或非极性溶剂。
5.如...
【技术特征摘要】
1.一种制备锭状靶材的方法，该锭状靶材适于置放在一电子枪蒸镀机之一靶槽内，其特征在于，该制备锭状靶材的方法包括：
2.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，该粉末材料是选自由y2o3、yof、yag、及al2o3所组成的群组。
3.如权利要求1或权利要求2所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，该粉末材料掺杂重量百分比为1-30％的镧系元素化合物，该镧系元素化合物选自由镧系元素之氧化物、氮化物、盐类化合物所组成的群组。
4.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，于(b)步骤中该有机溶剂可为极性溶剂或非极性溶剂。
5.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，于(c)步骤中该球磨法所采用之研磨球之成分为氧化铝或氧化锆。
6.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，于(d)步骤中烘干温度为80℃-120℃，而烘干时间为12-24小时。
7.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，于(e)步骤中所选用之筛网孔隙为300-2000目数。
8.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，于(f)步骤中该助烧结剂为固相助烧结剂或高分子助烧结剂。
9.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，于(g)步骤中压力为1mpa-100mpa。
10.如权利要求1所述之制备锭状靶材的方法，其特征在于，于(h)步骤中高温烧结温度为800℃-2000℃，烧结时间为1小时-24小时。
11.一种形成耐电浆腐蚀层的方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述之形成耐电浆腐蚀层的方法，其特征在于，该锭状靶材置是由经由权利要求1至10任一项所述之制备锭状靶材的方法而制成。
13.如权利要求11所述之形成耐电浆腐蚀层的方法，其特征在于，该电子枪蒸镀机为一离子辅助电子枪蒸镀机。
14.如权利要求11所述之形成耐电浆腐蚀层的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗丰，廖俊智，林佳德，邱国扬，黄柏嘉，陈柏翰，
申请(专利权)人：翔名科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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