【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种半导体器件的制造方法、半导体器件以及存储器系统。
技术介绍
1、在三维存储器(例如，3d nand存储器)中，为了改善堆叠结构在连接区的应力问题，可通过分别延伸至位于不同堆叠高度的多个栅极层的多个接触结构(stair contact，sct)，来将多个栅极层(即，字线)引出。但是在形成多个接触结构的过程中，受限于工艺，会出现最靠近堆叠结构一侧的栅极层无法引出的问题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种可至少部分解决相关技术中存在的上述问题或本领域其他问题的半导体器件的制造方法、半导体器件以及存储器系统。
2、本申请一些实施方式提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括：形成从初始堆叠结构的第一表面延伸至第一牺牲层的多个接触孔，其中，初始堆叠结构包括交替叠置的多个介电层和多个牺牲层，第一牺牲层为多个牺牲层中最靠近第一表面的牺牲层；形成覆盖于每个接触孔内壁的衬垫层；加深多个接触孔中除第一接触孔以外的多个第二接触孔，使多个第二接触孔...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，加深所述多个接触孔中除第一接触孔以外的多个第二接触孔，使所述多个第二接触孔延伸至彼此不同的深度包括：
3.根据权利要求2所述制造方法，其中，加深所述多个第二接触孔至各自对应的多个介电层包括：
4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，加深所述多个第二接触孔至各自对应的多个介电层之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，去除所述第一接触孔底部的至少部分所述衬垫层以暴露所述第一牺牲层包括：
6.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，加深所述多个接触孔中除第一接触孔以外的多个第二接触孔，使所述多个第二接触孔延伸至彼此不同的深度包括：
3.根据权利要求2所述制造方法，其中，加深所述多个第二接触孔至各自对应的多个介电层包括：
4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，加深所述多个第二接触孔至各自对应的多个介电层之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，去除所述第一接触孔底部的至少部分所述衬垫层以暴露所述第一牺牲层包括：
6.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，将所述第一牺牲层的至少一部分置换为第一导电连接部包括：
8.根据权利要求4所述的制造方法，其中，每个所述第二牺牲层的厚度相同，并且所述第一牺牲层的厚度大于所述第二牺牲层的厚度。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，形成从初始堆叠结构的第一表面延伸至第一牺牲层的多个接触孔包括：
10.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述多个介电层包括位于所述第一牺牲层远离所述第一表面一侧的多个第一介电层，每个第一介电层的厚度相同，并且所述衬垫层的厚度小于所述第一介电层的厚度。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，加深所述多个第二接触孔至各自对应的多个介电层包括：
12.根据权利要求1至11中任一项所述的制造方法，其中，所述衬垫层的材料与所述介电层的材料相同。
【专利技术属性】
技术研发人员：谢景涛，王迪，刘志斌，周文犀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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