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本申请实施方式提供了一种半导体器件的制造方法、半导体器件以及存储器系统。该半导体器件的制造方法包括：形成从初始堆叠结构的第一表面延伸至第一牺牲层的多个接触孔，其中，初始堆叠结构包括交替叠置的多个介电层和多个牺牲层，第一牺牲层为多个牺牲层中最...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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