本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层、闸极电介质层以及闸极。第一半导体层在第一方向延伸，第二半导体层位于第一半导体层上，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一半导体层和第二半导体层是一体成型。第一绝缘层设置在第一半导体层上。闸极电介质层设置在第二半导体层的侧壁上，并部分位在第一绝缘层上。闸极设置在闸极电介质层上。如此，第一半导体层和第二半导体层可同步形成，并分别作为半导体器件的源极和通道结构，改善半导体器件的结构稳定性、并提升其操作表现。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件及其制作方法，更具体地，涉及一种具有垂直通道结构的半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、半导体集成电路的技术随着时间不断地进步成长，每个新世代制造工艺下的产品都较前一个世代具有更小且更复杂的电路设计。在各晶片区域上的功能组件因产品革新需求而必须使其数量与密度不断地提高，当然也就使得各组件几何尺寸需越来越小。由于传统的平面式(planar)金氧半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)晶体管制造工艺难以持续微缩，故业界已提出以立体或非平面(non-planar)式晶体管组件来取代传统的平面式晶体管组件，从而缩小晶体管组件的几何尺寸或/及提高晶体管元件的操作表现。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供了一种半导体器件，在相互垂直的第一方向与第二方向上分别设置彼此一体成形的第一半导体层和第二半导体层，使得所述第一半导体层和所述第二半导体层可分别作为所述半导体器件的源极和通道结构，改善半导体器件的结构稳定性、并提升其操作表现。
>2、本专利技术的目本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层的底面接触所述第一半导体层的顶面。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层的侧面接触所述第二半导体层的所述侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述闸极电介质层的底面接触所述第一绝缘层的顶面，所述闸极电介质层的侧面接触所述第二半导体层的侧面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述闸极接触所述闸极电介质层分别位在所述第一方向和所述第二方向上的第一表面和第二表面。p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层的底面接触所述第一半导体层的顶面。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层的侧面接触所述第二半导体层的所述侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述闸极电介质层的底面接触所述第一绝缘层的顶面，所述闸极电介质层的侧面接触所述第二半导体层的侧面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述闸极接触所述闸极电介质层分别位在所述第一方向和所述第二方向上的第一表面和第二表面。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述闸极电介质层的顶面接触所述接触垫的所述底面。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层包括相同的半导体材料。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括设置在所述第一半导体层下方的金属导线，所述金属导线、所述闸极与所述接触垫分别包括：导电层，所述金属导线、所述闸极与所述接触垫的所述导电层包括相同的金属材料；以及
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【专利技术属性】
技术研发人员：赖惠先，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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