检测结构及其形成方法、检测方法技术

一种检测结构及其形成方法、检测方法，其中检测结构包括：基底，所述基底包括相对的第一面和第二面；第一材料层，所述第一材料层位于所述基底的第一面上；第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述第一材料层内，所述第一掺杂层用于在原电池反应中作为正极；第二材料层，所述第二材料层位于所述基底的第二面上，所述第二材料层用于在原电池反应中作为负极。本发明专利技术实施例提供的检测结构，可以有效检测溶液中的金属离子是否存在异常，从而可以避免有金属离子的溶液对硅片清洗时造成硅片的金属污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体检测，尤其涉及一种检测结构及其形成方法、检测方法。

技术介绍

1、随着集成电路技术的飞速发展，光刻线宽逐渐缩小时，金属沾污的控制在ic中越来越重要，因此对于硅衬底的要求也更加严格。污染硅片的位置可能在拉晶，线切，研磨，抛光，清洗，传递和运输等过程中形成的，例如在硅片清洗过程中使用不够纯的化学试剂很容易造成硅片上的金属污染，因此需要严格监控清洗硅片的化学试剂中是否存在金属离子污染。

2、目前金属离子的检测方法主要是icp-ms(感应耦合等离子质谱)，可以对样品中的金属元素进行定性定量分析，但是精度有限，当清洗试剂中的金属离子含量较低时，则无法进行有效监控，存在清洗试剂污染硅片的风险。

3、因此，需要提供一种检测结构及其形成方法、检测方法，来有效检测湿法清洗溶液中的金属离子，以避免湿法清洗溶液中的金属离子对硅片造成金属污染。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种检测结构及其形成方法、检测方法，可以有效检测溶液中的金属离子是否存在异常，从而可以避免有金属离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检测结构，所述检测结构用于在溶液中形成原电池反应，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述第一材料层为P型外延层。

3.如权利要求2所述的检测结构，其特征在于，所述第一掺杂层中的掺杂离子为P型离子。

4.如权利要求2所述的检测结构，其特征在于，还包括第二掺杂层，所述第二掺杂层位于所述第一材料层内，所述第二掺杂层的边界与所述第一掺杂层的边界相接触。

5.如权利要求4所述的检测结构，其特征在于，所述第二掺杂层中的掺杂离子为N型离子。

6.如权利要求4所述的检测结构，其特征在于，所述第一掺杂层和所述...

【技术特征摘要】

1.一种检测结构，所述检测结构用于在溶液中形成原电池反应，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述第一材料层为p型外延层。

3.如权利要求2所述的检测结构，其特征在于，所述第一掺杂层中的掺杂离子为p型离子。

4.如权利要求2所述的检测结构，其特征在于，还包括第二掺杂层，所述第二掺杂层位于所述第一材料层内，所述第二掺杂层的边界与所述第一掺杂层的边界相接触。

5.如权利要求4所述的检测结构，其特征在于，所述第二掺杂层中的掺杂离子为n型离子。

6.如权利要求4所述的检测结构，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的面积比小于等于1：9。

7.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述基底包括p型衬底。

8.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述第二材料层的材料包括多晶硅或者掺杂单晶硅。

9.一种检测结构的形成方法，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的检测结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一材料层内形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的边界与所述第一掺杂层的边界相接触。

11.如权利要求9所述的检测结构的形成方法，其特征在于，在所述第一材料层内形成第一掺杂层的方法包括：向所述第一材料层内注入p型掺杂离子，在所述第一材料层内形成第一掺杂层。

12.如权利要求10所述的检测结构的形成方法，其特征在于，在所述第一材...

【专利技术属性】
技术研发人员：白杰，米琳，宁威，蔡荣，王春娥，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：