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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层、闸极电介质层以及闸极。第一半导体层在第一方向延伸，第二半导体层位于第一半导体层上，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一半导体层和第二半导体层是一体...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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