一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法技术

本发明专利技术提供一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法，方法包括：在工艺晶圆得到深槽结构，利用透射电镜扫描测量深槽结构形貌特征；相同刻蚀条件下在参考控片进行与工艺晶圆相同的刻蚀工艺至参考控片上沟槽结构达第一预设深度；光学散射测量沟槽结构的光谱特征；建立不同测量条件下得到的沟槽结构光谱特征与深槽结构预设形貌特征的测量数据模型。本发明专利技术通过参考控片进行与工艺晶圆相同的刻蚀工艺前部分，得到与深槽结构形貌特征接近的沟槽结构，根据不同测量条件的沟槽结构光谱特征与深槽结构形貌特征建立测量数据模型，使应用中无需测量深槽结构即可获得深槽结构的形貌特征，大大提高测量深槽结构形貌特征的效率，并降低测量成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造，特别是涉及一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法。

技术介绍

1、现有技术中，测量半导体结构中深槽结构的形貌特征时主要采用tem(transmission electron microscope，透射电子显微镜)或者hvsem(high-voltagescanning electron microscopy，高压扫描电子显微镜)进行测量。

2、然而使用tem进行测量时，需要对待测量晶圆进行破坏性切片后通过透射电镜扫描得到测试图像，然后再进行人工分析测量才能得到深槽结构的形貌特征参数，导致该过程周期长，并且只能对单一极小区域的实际图像进行测量，图像分析也会引入人工误差，造成测量精度低；而使用hvsem进行对深槽结构的测量时，是通过对待测量晶圆进行高能电子散射成像得到的俯视图像进行分析测量，俯视图像导致其无法测量深槽的侧壁与顶面夹角大于90°或形貌异常点过大时的深槽结构形貌特征，同时其量测数据是对单一较小区域的高能电子散射图像，量测时间较长，量测效率低、成本高，且数据全面性差。>

3、因此，亟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法还包括：进行步骤A3时，对得到所述沟槽结构的所述参考控片进行切片后利用透射电镜扫描以获取所述沟槽结构的所述预设形貌特征；检验步骤A4中每种测量条件对应得到的所述沟槽结构的所述预设形貌特征与步骤A2中每种测量条件对应得到的所述深槽结构的所述预设形貌特征之间的相关性；当所述相关性处于强相关范围内时，判断所述测量数据模型可靠；当相关性处于强相关范围外时，增大所述第一预设深度，重复步骤A3到步骤A5，更新所述测量数据模型。

3.根据权利要求1或2...

【技术特征摘要】

1.一种测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法还包括：进行步骤a3时，对得到所述沟槽结构的所述参考控片进行切片后利用透射电镜扫描以获取所述沟槽结构的所述预设形貌特征；检验步骤a4中每种测量条件对应得到的所述沟槽结构的所述预设形貌特征与步骤a2中每种测量条件对应得到的所述深槽结构的所述预设形貌特征之间的相关性；当所述相关性处于强相关范围内时，判断所述测量数据模型可靠；当相关性处于强相关范围外时，增大所述第一预设深度，重复步骤a3到步骤a5，更新所述测量数据模型。

3.根据权利要求1或2所述的测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法还包括：采用与所述测量条件中所述预设刻蚀条件、所述第一半导体结构和所述工艺条件不同的检验刻蚀条件、检验第一半导体结构和/或检验工艺条件，于所述检验刻蚀条件下通过所述检验第一半导体结构在工艺晶圆上进行所述刻蚀工艺得到深槽结构，所述检验第一半导体结构通过所述检验工艺条件制备在所述工艺晶圆上；

4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：