【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光谱成像，更具体地，涉及一种基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置及方法。
技术介绍
1、目前已有全介电型随机优化图案结合光谱重建算法或微透镜阵列以色散原理获得不同波长的光谱分量已应用于高光谱成像，然而以经典的压缩感知算法对超表面图案进行光谱重建受限于对成像单元全光谱的测量及与二值图像区域的严格对应；色散型元件则仍需要一定光程使得对相机的空间有一定要求。
2、具体来看，高光谱成像是实际生产、医疗及遥感用于光谱测量可视化领域重要技术手段。基于光谱优化获得的广谱结构在实现高光谱成像中存在需要较长时间的标定(标定包括各个成像单元的光谱测量以及成像单元与单色图像的区域对应)，因制造的差异使得每一成像芯片的标定都需要重新进行标定使得批量化生产时需要更高的成本；
3、现有技术提供了一种全介电多形状的高光谱成像芯片，每个成像单元与其他成像单元的形状不同，且通过压缩感知算法对入射光谱进行重建，虽然所提出的光谱成像芯片具有区域可重构的特征，但只是用于匹配不同的形状的cmos，该成像芯片通过电子束曝光方式制造使得制造
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1.一种基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置，其特征在于，包括高光谱相机(1)和梯度渐变超表面(3)，所述梯度渐变超表面(3)附着于高光谱相机(1)中CMOS传感器(2)的上层；
2.根据权利要求1所述的基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置，其特征在于，所述纳米孔的孔型结构为十字形、正方形、三角形和圆形的任意一种。
3.根据权利要求1所述的基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置，其特征在于，所述渐变阵列按照两个周期组排列，每个周期组内包括4个不同的周期。
4.根据权利要求3所述的基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置，其...
【技术特征摘要】
1.一种基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置，其特征在于，包括高光谱相机(1)和梯度渐变超表面(3)，所述梯度渐变超表面(3)附着于高光谱相机(1)中cmos传感器(2)的上层；
2.根据权利要求1所述的基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置，其特征在于，所述纳米孔的孔型结构为十字形、正方形、三角形和圆形的任意一种。
3.根据权利要求1所述的基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置，其特征在于，所述渐变阵列按照两个周期组排列，每个周期组内包括4个不同的周期。
4.根据权利要求3所述的基于梯度渐变超表面的快照式高光谱成像装置，其特征在于，所述第一个周期组内的渐变阵列中纳米孔中心处之间的间距为450nm、500nm、550nm和600nm；所述第一个周期组内的渐变阵列中纳米孔中心处之间的间距为420nm、520nm、560nm和6...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡暻煊，周建华，杨佶，温宝华，叶祥益，廖陈钰，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：
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