一种3 D NAND深孔结构蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种3 D NAND深孔结构蚀刻液，该蚀刻液包括有机醇类、硅烷偶联剂、氢氟酸和水。本发明专利技术所述的3 D NAND深孔结构蚀刻液可在深孔结构中做到下端蚀刻量大于上端蚀刻量，从而解决干法蚀刻中下端蚀刻逐渐变窄，无法垂直蚀刻的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种3 d nand深孔结构蚀刻液及其应用。

技术介绍

1、

2、闪存芯片技术中，3dnand技术垂直堆叠了多层数据存储单元，在更小的空间内容纳更多的存储单元，其工艺已从128层向300层以上的层叠结构推进。当层叠结构的深宽比大于某个数值时，等离子体蚀刻便无法使深孔结构中的底部的刻蚀为垂直的状态，从而影响芯片的性能。在深孔刻蚀中，绝大多数刻蚀液只能做到上宽下窄的刻蚀形貌，极少数药液可以做到上下平行蚀刻。然而，随着开发3d nand的增加si3n4/sio2多层的数量，深孔形貌对闪存芯片的性能影响越来越大。

3、针对上述问题，人们需要开发出一款改变刻蚀形貌的刻蚀液，即开发出一款上窄下宽的刻蚀形貌的蚀刻液。

技术实现思路

1、对于上述问题，本专利技术针对3 d nand深孔结构中的深宽比为100-1000，进一步优选为200-1000，进一步优选为500-1000，进一步优选为800-1000，提供一种3 d nand深孔结构蚀刻液及其应用，所述的3 本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种3 D NAND深孔结构蚀刻液，其特征在于，所述3 D NAND深孔结构蚀刻液包含以下原料：

2.根据权利要求书1中所述的3 D NAND深孔结构蚀刻液，其特征在于：所述有机醇类其结构通式为：R-OH，其中R包括但不限于甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、甘醇、庚醇、氨醇、苄醇、叶醇、正戊醇、新戊醇、己六醇。

3.根据权利要求书1中所述的3 D NAND深孔结构蚀刻液，其特征在于：所述的氢氟酸为电子级氢氟酸，金属离子要求≤200ppb。

4.根据权利要求1所述的一种3 D NAND深孔结构蚀刻液，其特征在于：所述硅烷偶联剂其结构通式为：，其...

【技术特征摘要】

1.一种3 d nand深孔结构蚀刻液，其特征在于，所述3 d nand深孔结构蚀刻液包含以下原料：

2.根据权利要求书1中所述的3 d nand深孔结构蚀刻液，其特征在于：所述有机醇类其结构通式为：r-oh，其中r包括但不限于甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、甘醇、庚醇、氨醇、苄醇、叶醇、正戊醇、新戊醇、己六醇。

3.根据权利要求书1中所述的3 d nand深孔结构蚀刻液，其特征在于：所述的氢氟酸为电子级氢氟酸，金属离子要求≤200ppb。

4.根据权利要求1所述的一种3 d nand深孔结构蚀刻液，其特征在于：所述硅烷偶联剂其结构通式为：，其中，r1、r2、r3...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺兆波，李飞，冯凯，叶瑞，班昌胜，严凡，李素云，樊凘，苏张轩，罗佳杨，王宏博，张庭，王书萍，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：