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本发明公开了一种3 D NAND深孔结构蚀刻液，该蚀刻液包括有机醇类、硅烷偶联剂、氢氟酸和水。本发明所述的3 D NAND深孔结构蚀刻液可在深孔结构中做到下端蚀刻量大于上端蚀刻量，从而解决干法蚀刻中下端蚀刻逐渐变窄，无法垂直蚀刻的问题。...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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