存储结构及其写入和读取方法、存储器技术

一种存储结构及其写入和读取方法、存储器，所述存储结构包括：第一MOS管、放大单元和efuse存储单元。所述放大单元包括：一个或多个双极性晶体管。当所述放大单元包括一个双极性晶体管时，所述双极性晶体管的基极连接所述第一MOS管的第一端，所述双极性晶体管的发射极连接所述efuse存储单元的第一端，所述第一MOS管的第一端为所述第一MOS管的源极和漏极中的一个。当所述放大单元包括多个双极性晶体管时，第一个双极性晶体管的基极连接所述第一MOS管的第一端，后一个双极性晶体管的基极连接前一个双极性晶体管的发射极，最后一个双极性晶体管的发射极连接所述efuse存储单元的第一端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种存储结构及其写入和读取方法、存储器。

技术介绍

1、在半导体
中，电可编程熔丝(efuse)一直是硅技术扩展中关键的技术之一。efuse技术根据电迁移理论，通过电熔丝被电流的熔断与否来存储信息，多晶硅电熔丝在熔断前电阻很小，在持续的大电流熔断后电阻可视做无穷大，并且电熔丝断裂的状态将永久保持。efuse技术已经广泛用于冗余电路来改善芯片失效等问题，可以取代小容量的一次可编程存储器。

2、编程时需要较高的写入电流才能熔断efuse。因此，通常采用较高的电压(例如，3.3伏)和相应的输入输出设备完成对efuse的编程。在鳍片场效电晶体工艺(fin fetprocess)中，28hk，14纳米以下，熔丝变为金属熔丝时，efuse的编程电流将变得更大，可以达到50毫安(ma)。

3、如图1所示，在现有efuse存储结构中，使用并联的多个nmos管为存储单元efuse提供写入电流。其中，所有nmos管的栅极连接在一起并输入电压vg1，所有nmos管的漏极连接在一起并输入电压vss1，所有nmos管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储结构，其特征在于，包括：第一MOS管、放大单元和efuse存储单元；

2.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述第一MOS管为NMOS管或PMOS管，所述双极性晶体管为NPN型晶体管或PNP型晶体管。

3.一种存储器，其特征在于，包括：写入单元和权利要求1或2所述的存储结构，

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，当所述放大单元中的双极性晶体管为NPN型晶体管时：

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一电源电压的电压值范围为：0.75V～0.9V，所述第二电源电压的电压值范围为：1.0V～2.2V，所述第三...

【技术特征摘要】

1.一种存储结构，其特征在于，包括：第一mos管、放大单元和efuse存储单元；

2.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述第一mos管为nmos管或pmos管，所述双极性晶体管为npn型晶体管或pnp型晶体管。

3.一种存储器，其特征在于，包括：写入单元和权利要求1或2所述的存储结构，

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，当所述放大单元中的双极性晶体管为npn型晶体管时：

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一电源电压的电压值范围为：0.75v～0.9v，所述第二电源电压的电压值范围为：1.0v～2.2v，所述第三电源电压的电压值为：0v。

6.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，当所述放大单元中的双极性晶体管为pnp型晶体管时：

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第一电源电压的电压值范围为：0.75v～0.9v，所述第二电源电压的电压值为：0v，所述第三电源电压的电压值范围为：1.0v～2.2v。

8.一种存储器，其特征在于，包括：读取单元和权利要求1或2所述的存储结构，

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：渠超越，曾宗康，张雅，王一森，余达强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：