下载存储结构及其写入和读取方法、存储器的技术资料

文档序号:43470087

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种存储结构及其写入和读取方法、存储器,所述存储结构包括:第一MOS管、放大单元和efuse存储单元。所述放大单元包括:一个或多个双极性晶体管。当所述放大单元包括一个双极性晶体管时,所述双极性晶体管的基极连接所述第一MOS管的第一端,所述双...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。