【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于控制存储装置中的位线电压的方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的进步，对更高的储存容量、更快的处理系统、更高的性能和更低的成本提出了越来越高的要求。为了满足这些要求，半导体工业继续缩小半导体装置的尺寸。
2、本公开涉及存储装置及其操作方法。闪存(flash memory)装置是可电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性固态储存介质。闪存装置可以包括nor闪存装置和nand闪存装置。可以由闪存装置执行各种操作，诸如读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储单元的阈值电压改变为标称电平。对于nand闪存装置，可以在块级执行擦除操作，并且可以在页级执行编程操作或读取操作。
技术实现思路
1、本公开描述了用于模拟电源电路的方法和用于执行该方法的系统的实施例。
2、本公开的一些方面涉及一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法。所述方法可以包括使位线钳位调节电压和控制信号调节电压斜坡上升。所述方法还可以包括使位线钳位使能电压和控制信号使能电压斜坡上升。所述方法...
【技术保护点】
1.一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述位线箝位调节电压和所述控制信号调节电压斜坡上升包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，降低所述控制信号电压包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，使所述位线钳位使能电压、所述位线钳位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降以及降低所述位线钳位电压包括：
6.一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法，包括如下操作：
7.根据权利要求6所...
【技术特征摘要】
1.一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述位线箝位调节电压和所述控制信号调节电压斜坡上升包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，降低所述控制信号电压包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，使所述位线钳位使能电压、所述位线钳位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降以及降低所述位线钳位电压包括：
6.一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法，包括如下操作：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，操作(1)包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其中，操作(2)包括：
9.根据权利要求6所述的方法，其中，操作(3)包括：
10.根据权利要求6所述的方法，其中，操作(4)包括：
11.一种三维存储装置，包括：
12.根据权利要求11所述的存储装置，其中所述外围电路还被配置为：
13.根据权利要求12所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
15.根据权利要求14所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
【专利技术属性】
技术研发人员：王博文，乔梁，万维俊，韩金池，杜智超，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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