一种发光器件结构制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件结构，包括基板、第一半导体层、第二半导体层和有源层；贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的第一凹陷和第二凹陷，第一凹陷和第二凹陷均设置两处，且对应的第一凹陷和第二凹陷均对称设置；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的第三导电层，与第三导电层形成电连接的第一焊盘；第一导电层、反射层、第二导电层、第三导电层、第一焊盘共同组成第一电连接层。本发明专利技术不缩减发光面积的前提下增加电流流通通道，进而优化电流的横向扩展和纵向扩展，减少器件工作产生的热效应，提高器件稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，尤其涉及一种发光器件结构。

技术介绍

1、led芯片中p/n导通路径是在发光区内设置多个规则排列的凹陷，通过多金属设计的反射层和导电层实现p到n的电流流通，在通过绝缘层隔离p和n，防止直接导通造成短路,从而实现发光发亮。现有技术，流过器件的电并不能全部转换成光，因此提高器件的发光效率，减少器件发热等损失，稳定器件是半导体行业一直要攻克的技术点。本专利技术提出了一种发光器件结构，优化电流扩展，从而稳定器件的结构和方法。

技术实现思路

1、基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种发光器件结构，不缩减发光面积的前提下增加电流流通通道，进而优化电流的横向扩展和纵向扩展，减少器件工作产生的热效应，提高器件稳定性。

2、本专利技术提出的一种发光器件结构，包括基板、第一半导体层、第二半导体层和有源层；基板上依次生长第一半导体层、有源层、第二半导体层；还包括如下：

3、贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的第一凹陷和第二凹陷，第一凹陷和第二凹陷均设置两本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件结构，包括基板(3)、第一半导体层(1)、第二半导体层(2)和有源层(4)；基板(3)上依次生长第一半导体层(1)、有源层(4)、第二半导体层(2)；其特征在于，还包括如下：

2.根据权利要求1所述的一种发光器件结构，其特征在于，第一凹陷(5)在发光区域按阵列形式分布；第二凹陷(6)在发光外围规则分布。

3.根据权利要求1所述的一种发光器件结构，其特征在于，第二凹陷(6)释放绝缘层产生的应力。

4.根据权利要求1所述的一种发光器件结构，其特征在于，第二凹陷(6)增加了电流流通的通道。

5.根据权利要求1所述的一种发光器件结构...

【技术特征摘要】

1.一种发光器件结构，包括基板(3)、第一半导体层(1)、第二半导体层(2)和有源层(4)；基板(3)上依次生长第一半导体层(1)、有源层(4)、第二半导体层(2)；其特征在于，还包括如下：

2.根据权利要求1所述的一种发光器件结构，其特征在于，第一凹陷(5)在发光区域按阵列形式分布；第二凹陷(6)在发光外围规则分布。

3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡琳榕，唐如梦，吴东东，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：