【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种芯片及用于芯片的测试方法。
技术介绍
1、芯片在半导体工艺生产过程中会产生并不友好的应力，该应力有可能导致芯片产生裂缝进而影响芯片的正常功能。芯片在完成晶圆工艺后会进入到切割工艺，由于晶圆内部存在应力，切割工艺亦可能导致较严重的裂缝，该裂缝有较大几率造成芯片失效。
2、由于芯片制造及测试成本都比较昂贵，为了防止带有裂缝的芯片进一步往后流通，通常会在芯片的各金属层制造时，于芯片外围设置对应的金属环，并将所有层上的金属环串联成一个完整的回路，通过检测该回路的连通性来判断芯片是否存在断裂损伤。
3、然而，这样虽然能够检测出芯片是否出现断裂损伤，但却无法对断裂损伤进行定位，导致dcm（die crack monitor，芯片断裂侦测）发生异常时，即芯片发生断裂损伤时，难以进行针对性的工艺改善。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种芯片及用于芯片的测试方法，便于对芯片进行断裂损伤检测和定位，从而有利于芯片的工艺改善。
...【技术保护点】
1.一种芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片包括至少一个串联线组，其中每个所述串联线组包括一条所述第一串联线和一条对应的所述第二串联线；各所述串联线组之间无电连接；
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，同一所述金属层中，各所述金属线组围绕所述主体区域分布拼凑成带缺口的环，所述缺口为相邻的两个金属线组之间的间隙；其中，各所述金属线组中的第一金属线拼凑成带第一缺口的第一环，所述第一缺口为相邻两条所述第一金属线彼此邻近的端点之间的间隙，各所述金属线组中的第二金属线拼凑成带第二缺口的第二环，所述第二缺口为相...
【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片包括至少一个串联线组，其中每个所述串联线组包括一条所述第一串联线和一条对应的所述第二串联线；各所述串联线组之间无电连接；
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，同一所述金属层中，各所述金属线组围绕所述主体区域分布拼凑成带缺口的环，所述缺口为相邻的两个金属线组之间的间隙；其中，各所述金属线组中的第一金属线拼凑成带第一缺口的第一环，所述第一缺口为相邻两条所述第一金属线彼此邻近的端点之间的间隙，各所述金属线组中的第二金属线拼凑成带第二缺口的第二环，所述第二缺口为相邻两条所述第二金属线彼此邻近的端点之间的间隙，所述第二环位于所述第一环内。
4.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，同一所述金属线组中的所述第一金属线和所述第二金属线长度相等或不等；不同的所述金属线组中，各所述第一金属线的长度相等或不等，各所述第二金属线的长度相等或不等。
5.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，不同的所述金属线组中，所述第一金属线和所述第二金属线之间的第一距离相等或不等，所述第一距离是所述第一金属线的线宽的预设倍数，所述预设倍数处于0.5倍到5倍之间。
6.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，属于同一个所述串联线组的各所述金属线组，在垂直于所述金属层的方向上彼此对齐或错开。
7.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述串联线组的数量为1至20个。
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【专利技术属性】
技术研发人员：施国峰，
申请(专利权)人：成都海光微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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