【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种载流子增程的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管包括：n型层、多量子阱层、p型层、p电极和n电极，n型层、多量子阱层和p型层依次层叠，p电极位于p型层的表面上，p型层具有n型层的凹槽，n电极位于凹槽内，且n电极与n型层相连。n型层产生的载流子是电子，p型层产生的载流子是空穴，电子和空穴在多量子阱层复合并发光。
3、由于电子的迁移速率比空穴快，空穴从p型层还未扩展至多量子阱层时，电子已经从n型层扩展至多量子阱层。所以发光二极管的发光强度较高的位置，取决于空穴最快到达的位置，也即是，p电极所在位置的发光强度较高。因此发光二极管上靠近p电极的区域发光强度要强于远离p电极的区域，影响发光二极管的发光效果。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：n型层(21)、多量子阱层(22)、p型层(23)、n电极(41)和p电极(42)，所述n型层(21)、所述多量子阱层(22)和所述p型层(23)依次层叠，所述p电极(42)位于所述p型层(23)的远离所述n型层(21)的表面上，所述p型层(23)的远离所述n型层(21)的表面具有露出所述n型层(21)的凹槽(31)，所述n电极(41)位于所述凹槽(31)内，且与所述n型层(21)相连；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述n型层(21)和所述p型层(23)均具有所述隔断槽(32)，所述p...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：n型层(21)、多量子阱层(22)、p型层(23)、n电极(41)和p电极(42)，所述n型层(21)、所述多量子阱层(22)和所述p型层(23)依次层叠，所述p电极(42)位于所述p型层(23)的远离所述n型层(21)的表面上，所述p型层(23)的远离所述n型层(21)的表面具有露出所述n型层(21)的凹槽(31)，所述n电极(41)位于所述凹槽(31)内，且与所述n型层(21)相连；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述n型层(21)和所述p型层(23)均具有所述隔断槽(32)，所述p型层(23)的远离所述n型层(21)的表面具有所述隔断槽(32)，所述n型层(21)上的所述隔断槽(32)位于所述凹槽(31)内。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，位于所述p型层(23)上的所述隔断槽(32)至所述n型层(21)的底面的距离，小于或者等于位于所述凹槽(31)内的所述隔断槽(32)至所述n型层(21)的底面的距离。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述隔断槽(32)的槽底至所述n型层(21)的底面的最小距离与所述n型层(21)的厚度之比小于或者...
【专利技术属性】
技术研发人员：江宾，王绘凝，宋飞翔，石跃航，张舜，徐义兰，韩艺藩，郝亚磊，张旭东，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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