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本公开提供了一种载流子增程的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：n型层、多量子阱层、p型层、n电极和p电极，n型层、多量子阱层和p型层依次层叠，p电极位于p型层的远离n型层的表面上，p型层的远离n型层的表面具有...
该专利属于京东方华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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