维恩过滤器及带电粒子束成像设备制造技术

技术编号:43463168 阅读:45 留言:0更新日期:2024-11-27 13:00
本发明专利技术属于检测技术领域,涉及维恩过滤器及相关的带电粒子束检测仪器及成像设备。维恩过滤器包括电偏转器和磁偏转器;电偏转器包括至少一组对置的弧形的电极对,各组电极对呈同轴共圆周设置,电极对分别被电压激励产生各自电场;磁偏转器包括至少一组对置的弧形的磁极对,各组磁极对呈同轴共圆周设置,且与电偏转器同轴异圆周分布,磁极对被绕制于磁极对上的线圈激励以产生各自磁场;至少一组电极对提供单一方向的电场,其余磁极对提供的磁场方向可调,以满足与电场方向的正交条件;或者,至少一组磁极对提供单一方向的磁场,其余电极对提供的电场方向可调,以满足与磁场的正交条件。本发明专利技术可消除带电粒子光学系统中偏转场的三次谐波分量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于检测,特别涉及维恩过滤器及相关的带电粒子束检测仪器及成像设备。


技术介绍

1、维恩过滤器主要由一组同轴复合的电偏转器和磁偏转器组成,通过改变电极电压或线圈激励电流,在旁轴空间产生正交的电场和磁场,来调整或平衡作用在穿过的带电粒子上的电场力和磁场力,从而控制带电粒子的运动轨迹。由于磁场力还与质量和速度有关,故可以实现对特定质量离子的分离、特定能量的离子的分离,广泛用检测仪器领域的能谱仪或者质谱仪,在电镜领域还用于实现主电子束的单色过滤和信号电子(包括二次电子和背散射电子)离轴检测。

2、因半导体工艺及其他科研生产领域无损检测需求的要求,基于拒斥场物镜的低能高分辨率电镜得到了快速发展,作为成像核心的信号电子探测器,需要置于电子光学镜筒内,探测器必须避让主光轴,即主电子束的下行通道,置于光轴一侧或环绕光轴,相应的,为了能够检测沿轴上行的信号电子,会在探测器前引入维恩过滤器,把上行信号电子偏离轴外;根据维恩过滤器的原理,可以驱动和配比电磁激励,使得下行的主电子束所受电磁力抵消,不受维恩过滤器影响,而维恩过滤器只影响上行的信号电子,使其受到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种维恩过滤器,包括电偏转器和磁偏转器;其特征在于:

2.根据权利要求1所述的维恩过滤器,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的维恩过滤器,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的维恩过滤器,其特征在于:

5.一种维恩过滤器,包括电偏转器和磁偏转器;其特征在于:

6.根据权利要求5所述的维恩过滤器,其特征在于:

7.根据权利要求6所述的维恩过滤器,其特征在于:

8.根据权利要求7所述的维恩过滤器,其特征在于:

9.根据权利要求7所述的维恩过滤器,其特征在于:

10.根据权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种维恩过滤器,包括电偏转器和磁偏转器;其特征在于:

2.根据权利要求1所述的维恩过滤器,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的维恩过滤器,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的维恩过滤器,其特征在于:

5.一种维恩过滤器,包括电偏转器和磁偏转器;其特征在于:

6.根据权利要求5所述的维恩过滤器,其特征在于:

7.根据权利要求6所述的维恩过滤器,其特征在于:

8.根据权利要求7所述的维恩过滤器,其特征在于:

9.根据权利要求7所述的维恩过滤器,其特征在于:

10.根据权利要求1至9中任一项所述的维恩过滤器,其特征在于:

11.根据权利要求1至9中任一项所述的维恩过...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵焱
申请(专利权)人:苏州矽视科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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