一种基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器及其制备方法，该器件结构自下而上依次为c面蓝宝石衬底(c‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;)、Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜、非晶CuO薄膜和Ti/Au电极对。采用脉冲激光沉积方法制备：在c‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;衬底上采用PLD方法制备Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜，然后在较低温度下沉积一层非晶CuO薄膜，形成CuO/Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;异质pn结，最后在薄膜表面镀上Ti/Au电极完成异质pn结紫外探测器的制作。本发明专利技术的紫外探测器通过构建CuO/Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;异质结，利用异质结界面处的势垒及内建电场，在实现自供电功能的同时，大幅降低器件的暗电流；且制备方法简单、重复性高、成本低廉、响应速度快。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器及其制备方法，属于半导体光电器件。

技术介绍

1、氧化镓(ga2o3)是一种宽禁带半导体，具有大约4.9ev的直接禁带宽度，对应的光吸收波长在250nm左右，属于日盲光波段(200-280nm)，不受太阳光背景噪声影响，同时ga2o3材料具有优越的化学和热稳定性，在紫外和可见光范围内具有高的透过率，是制备日盲紫外探测器天然的理想材料。使用ga2o3制备的光电探测器在日盲紫外通信、导弹追踪、深空探测成像、臭氧层空洞检测及火险预警等军事和民用领域有重要的应用前景。而且ga2o3基器件具有击穿场强高、能耗低、噪声小、耐高温等优越特性，在高温、高频、抗辐射、大功率器件领域也有广泛的应用。

2、但是在日盲紫外探测器应用方面，由于目前基于ga2o3材料制备的msm型紫外探测器综合性能还比较低，存在暗电流大、光响应时间长等技术问题，且通常需要施加外加电压才能探测性能，因此未能实现商业化应用。制备ga2o3基同质pn结型紫外探测器似乎是一种可行的替代方案。但由于氧空位等缺陷的存在，本征β-ga2o3通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器，其特征在于，所述的Ga2O3膜层为n型半导体，所述的非晶CuO膜层为p型半导体。

3.根据权利要求1所述的基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器，其特征在于，所述Ga2O3膜层的厚度为100-200nm，所述的非晶CuO膜层的厚度为20-70nm。

4.根据权利要求1所述的基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器，其特征在于，所述的第一Ti/Au电极包括生长在所述Ga2O3膜层的Ti层以及生长在所述Ti层上的...

【技术特征摘要】

1.一种基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器，其特征在于，所述的ga2o3膜层为n型半导体，所述的非晶cuo膜层为p型半导体。

3.根据权利要求1所述的基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器，其特征在于，所述ga2o3膜层的厚度为100-200nm，所述的非晶cuo膜层的厚度为20-70nm。

4.根据权利要求1所述的基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器，其特征在于，所述的第一ti/au电极包括生长在所述ga2o3膜层的ti层以及生长在所述ti层上的au层；

5.根据权利要求1-4任一项所述的基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的基于非晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕斌，金硕琦，孙书逸，潘新花，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：