改善漏电的发光二极管及其制备方法技术

技术编号:43462511 阅读:20 留言:0更新日期:2024-11-27 13:00
本公开提供了一种改善漏电的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该制备方法包括:形成外延层,所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述第二半导体层具有露出所述第一半导体层的凹槽;在无氮气和氨气的气氛下,对所述外延层进行退火。本公开实施例能提升改善水汽侵入有源层致使发光二极管漏电失效的问题。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电子制造,特别涉及一种改善漏电的发光二极管及其制备方法


技术介绍

1、发光二极管(英文:light emitting diode,简称:led)作为光电子产业中极具影响力的新产品,具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点,广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

2、相关技术中,发光二极管通常包括:外延层、电极和钝化层,外延层包括依次层叠的n型层、有源层和p型层。p型层的表面具有露出n型层的凹槽,钝化层位于p型层的表面上,且位于所述凹槽内,电极位于钝化层的表面上,且通过钝化层上的通孔分别与p型层和n型层连接。

3、由于凹槽存在呈阶梯状的拐角区域,层叠在拐角区域的钝化层的致密性较差。位于拐角区域的钝化层在发光二极管工作过程中,容易因反复热胀冷缩而发生破裂,进而导致水汽进入并腐蚀有源层,致使发光二极管漏电失效。


技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种改善漏电的发光二极管及其制备方法,能提升改善水汽侵入有源层致使发光二极管漏电失效的问题。所述技术方案如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在无氮气和氨气的气氛下,对所述外延层进行退火包括:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在无氮气和氨气的气氛下,对所述外延层进行退火时,控制退火时间大于或者等于1min。

4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,在无氮气和氨气的气氛下,对所述外延层进行退火之后,还包括:

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在氨气和氮气的气氛下,再次对所述外延层进行退火包括:

6.根据权利要求5所述的制备...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在无氮气和氨气的气氛下,对所述外延层进行退火包括:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在无氮气和氨气的气氛下,对所述外延层进行退火时,控制退火时间大于或者等于1min。

4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,在无氮气和氨气的气氛下,对所述外延层进行退火之后,还包括:

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在氨气和氮气的气氛下,再次对所述外延层进行退火包括:

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,再次对所述外延层进行退火时,控制反应腔内的氮气和...

【专利技术属性】
技术研发人员:张奕尹涌陆香花徐义兰朱广敏
申请(专利权)人:京东方华灿光电浙江有限公司
类型:发明
国别省市:

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