一种集成电阻式光隔离开关单元电路及其封装结构制造技术

本发明专利技术提供了一种集成电阻式光隔离开关单元电路及其封装结构；包括隔离开关，隔离开关的发光二极管D1的正极依次与温敏电阻R2、限流电阻R1连接，限流电阻R1与信号输入正端连接，发光二极管D1的负极与信号输入负端连接，所述发光二极管D1与分流电阻R3并联，隔离开关的光伏E1的与功率控制电路连接。本发明专利技术通过在隔离电路的信号输入正端增加限流电阻和温敏电阻来补偿发光二极管的温度漂移，并使用分流电阻并联在隔离电路的输入端之间解决隔离开关中发光二极管敏感的问题，电阻集成结构简单，并且三温下性能温度、可靠性高，提高了产品的抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电阻式光隔离开关单元电路及其封装结构。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，电子器件不断小型化、高密度化，在电子类控制开关领域，高密度集成成为了发展趋势。传统的光mos固体继电器因为输入端无限流电阻，用户在应用和测试过程中，往往会出现未加限流电阻进行测试，导致输入端烧毁；外部电路设置不合理，导致驱动不足，产品功能异常或烧毁等现象，特别是在高温或低温下，因电阻设置不合理，导致产品失效；同时由于发光二极管敏感度不同，如未设置专门防护电路，该器件极易受到不同程度干扰，导致开关误动作等问题。如公开号为cn104079280b公开的一种高耐压的固态继电器在隔离开关的输入正端加入了分流电阻，并在其输入端并联一个限流电阻来避免电路被过压而击穿。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种集成电阻式光隔离开关单元电路及其封装结构。

2、本专利技术通过以下技术方案得以实现。

3、本专利技术提供的一种集成电阻式光隔离开关单元电路；包括隔离开关，隔离开关的发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电阻式光隔离开关单元电路，其特征在于：包括隔离开关，隔离开关的发光二极管D1的正极依次与温敏电阻R2、限流电阻R1连接，限流电阻R1与信号输入正端连接，发光二极管D1的负极与信号输入负端连接，所述发光二极管D1与分流电阻R3并联，隔离开关的光伏E1的与功率控制电路连接。

2.如权利要求1所述的集成电阻式光隔离开关单元电路，其特征在于：所述功率控制电路包括双向输出电路和直流输出电路。

3.如权利要求2所述的集成电阻式光隔离开关单元电路，其特征在于：所述双向输出电路包括两个功率开关管，两个功率开关管的栅极和源极分别与光伏E1的正极和负极连接，集电极分别与两...

【技术特征摘要】

1.一种集成电阻式光隔离开关单元电路，其特征在于：包括隔离开关，隔离开关的发光二极管d1的正极依次与温敏电阻r2、限流电阻r1连接，限流电阻r1与信号输入正端连接，发光二极管d1的负极与信号输入负端连接，所述发光二极管d1与分流电阻r3并联，隔离开关的光伏e1的与功率控制电路连接。

2.如权利要求1所述的集成电阻式光隔离开关单元电路，其特征在于：所述功率控制电路包括双向输出电路和直流输出电路。

3.如权利要求2所述的集成电阻式光隔离开关单元电路，其特征在于：所述双向输出电路包括两个功率开关管，两个功率开关管的栅极和源极分别与光伏e1的正极和负极连接，集电极分别与两个功率端子连接。

4.如权利要求2所述的集成电阻式光隔离开关单元电路，其特征在于：所述直流输出电路包括一个功率开关管，功率开关管的栅极和源极分别与光伏e1的正极和负极连接，集电极和源极还分别与两个功率端子连接。

5.一种集成电阻式光隔离开关的封装结构，其特征在于：包括陶瓷管壳(1)，所述陶瓷管壳(1)内加工有凹槽，凹槽内布置有若干独立的导电板，导电板上安装有信号组件和功率组件，所述信号组件和功率组件分别设在凹槽的两端，且不在同一平面上，信号组件通过键合线与功率组件连接，陶瓷管壳(1)的底部分别设有信号端子和功率端子分别与信号组件和功率组件连接。

6.如权利要求5所述的集成电阻式光隔离开关的封装结构，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫军政，李建华，罗海洋，文仁俊，宋伟，洪浩，
申请(专利权)人：贵州振华群英电器有限公司国营第八九一厂，
类型：发明
国别省市：