【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池，具体涉及一种局部电场太阳能电池、组件及系统。
技术介绍
1、局部背场topcon太阳能电池是一种高效硅太阳能电池技术，它结合了局部背场设计和topcon（tunnel oxide passivated contact）技术。局部背场topcon太阳能电池的结构主要包括正面的常规n型太阳能电池结构和背面的钝化接触结构设计。局部背场topcon太阳能电池通过优化背面钝化接触结构，能够显著提升电池的开路电压和短路电流，从而提高光电转换效率。
2、现有技术中，大都是在基底上依次布置隧穿层和导电传输层，然后需要将非电极区域的隧穿层和导电传输层去除，才能进一步在非电极区域内布置钝化层，由于电极区域和非电极区域中的隧穿层和导电传输层是整体在同一高度面的，在化学试剂刻蚀去除非电极区域的隧穿层和导电传输层的同时，由于刻蚀工艺难以把控，化学试剂难免也会接触到相邻的电极区域的隧穿层和导电传输层，这将导致电极区域的部分导电传输层也被刻蚀减少，从而会降低电池发电效率和容易产生漏电现象。同时，所得到的电池在非电极区域内仅有钝化...
【技术保护点】
1.一种局部电场太阳能电池，包括硅基底（1），其特征在于：所述硅基底（1）的一面划分为电极区域和非电极区域，并且电极区域和非电极区域交错布置；所述电极区域内包括有硅基底（1）、第一隧穿层（2）、第一导电传输层（3）、第一电极（4），所述第一隧穿层（2）设置在硅基底（1）上，所述第一导电传输层（3）设置在所述第一隧穿层（2）上，所述第一电极（4）设置在所述第一导电传输层（3）上；所述非电极区域内包括硅基底（1）、钝化层（5）、第二隧穿层（6），所述钝化层（5）设置在硅基底（1）上，所述第二隧穿层（6）设置在所述钝化层（5）上；所述钝化层（5）设置有开口，所述钝化层（5）...
【技术特征摘要】
1.一种局部电场太阳能电池，包括硅基底（1），其特征在于：所述硅基底（1）的一面划分为电极区域和非电极区域，并且电极区域和非电极区域交错布置；所述电极区域内包括有硅基底（1）、第一隧穿层（2）、第一导电传输层（3）、第一电极（4），所述第一隧穿层（2）设置在硅基底（1）上，所述第一导电传输层（3）设置在所述第一隧穿层（2）上，所述第一电极（4）设置在所述第一导电传输层（3）上；所述非电极区域内包括硅基底（1）、钝化层（5）、第二隧穿层（6），所述钝化层（5）设置在硅基底（1）上，所述第二隧穿层（6）设置在所述钝化层（5）上；所述钝化层（5）设置有开口，所述钝化层（5）的开口与硅基底（1）围成了一个凹槽，所述第一隧穿层（2）和第一导电传输层（3）整体位于凹槽内，所述第一隧穿层（2）与第二隧穿层（6）同步形成且在硅基底（1）厚度方向上处于不同的高度；所述钝化层（5）的厚度大于所述第一隧穿层（2）和第一导电传输层（3）的厚度之和。
2.根据权利要求1所述的局部电场太阳能电池，其特征在于：所述第二隧穿层（6）外还设有第二导电传输层（7）；所述第一导电传输层（3）与第二导电传输层（7）同步形成且在硅基底（1）厚度方向上处于不同的高度且没有接触。
3.根据权利要求1所述的局部电场太阳能电池，其特征在于：所述硅基底...
【专利技术属性】
技术研发人员：王建文，廖志远，胡朝冰，刘晓萌，黄立峰，
申请(专利权)人：广西沐邦高科新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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