【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，尤其涉及一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法。
技术介绍
1、对于sic功率器件，sic晶圆片的厚度越薄，阈值电压vf越低，浪涌参数越高。相同阈值电压和浪涌参数的超薄片晶圆可以做更多的单颗管芯，降低单颗管芯的成本。但是sic超薄晶圆片即厚度小于150um的晶圆片，在减薄过程中随着厚度越来越薄，翘曲逐渐增大，大的翘曲度导致在背面工艺包括减薄清洗、背面欧姆、激光退火、去碳和背面金属等工艺作业过程中传片异常，甚至出现取放片撞到机械手臂的情况，因此需要及时降低超薄片晶圆的翘曲。
2、常规的sic超薄片背面工艺中，降低晶圆片翘曲的第一种方法是采用键合和解键合工艺，但该方法会增加背面工艺成本。第二种方法是在晶圆片背面增加降低应力的膜层，但是很多超薄片减薄后不兼容超薄片成膜工艺流片，或者碎片率高，导致成本增加。
3、有一些碳化硅晶圆减薄的制作方法是在正面工艺做完后在晶圆正面沉积一层保护层，在背面工艺减薄步骤后，在晶圆背面热氧生长一层牺牲氧化层，再通过湿法腐蚀或刻蚀同时剥离掉正面保护层和背面牺牲氧化层，通过...
【技术保护点】
1.一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，在所述第一反应力膜层的表面制作第二反应力膜层；所述第二反应力膜层与第一反应力膜层产生的应力方向相同。
3.根据权利要求1所述的降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，所述第一反应力膜层为二氧化硅膜层。
4.根据权利要求3所述的降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，所述第一反应力膜层的原料包括硅烷、氮气和一氧化二氮；所述第一反应力膜层的溅射参数包括：溅射功率为50-300W，沉积温度为150-400...
【技术特征摘要】
1.一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，在所述第一反应力膜层的表面制作第二反应力膜层；所述第二反应力膜层与第一反应力膜层产生的应力方向相同。
3.根据权利要求1所述的降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，所述第一反应力膜层为二氧化硅膜层。
4.根据权利要求3所述的降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，所述第一反应力膜层的原料包括硅烷、氮气和一氧化二氮；所述第一反应力膜层的溅射参数包括：溅射功率为50-300w，沉积温度为150-400℃，压力为500-2000mtorr，应力为200-600mpa，厚度为400nm-2000nm。
5.根据权利要求2所述的降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，所述第二反应力膜层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉斌，陈铭杰，钟泳生，周璇，宋旋坤，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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