【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请案主张申请于2022年4月20日的美国专利申请案第17/725,023号的益处，所述申请案的整体公开内容为了所有目的以引用的方式并入本文。
技术介绍
1、在电子材料及用于制造这种材料至电子结构中的工艺的研究中，电子结构的样本可用于微观检查，以便用于故障分析及装置验证的目的。例如，诸如包括一或多个集成电路(integrated circuit；ic)或形成于所述一或多个集成电路上的其他电子结构的硅晶片的样本可用聚焦离子束(focused ion beam；fib)铣削且成像以研究形成于晶片上的电路或其他结构的特定特性。
2、作为一个实例，fib可用于在形成于样品上的一或多个层中铣削孔或沟槽。在此铣削工艺期间，离子轰击样品引发一系列事件，所述事件可产生从样品表面逸出的自由电子。当经铣削的材料为导电层时，来自样品之内的电子可快速替代逸出电子，从而在铣削区域保持相对中性的电荷。然而，当经铣削的材料为非导电(即，电绝缘)层时，电子不会自由地移动穿过材料。因此，在非半导体材料的铣削工艺期间从铣削区域逸出或以其他方式释放的电子可能无...
【技术保护点】
1.一种处理样品的区域的方法，所述方法包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述扫描期间，所述导电结构定位在距离所述区域五毫米或更小位置处。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述导电结构包含位于所述FIB柱的柱帽与所述样品之间的气体注入喷嘴。
4.如权利要求3所述的方法，所述方法进一步包含：加热所述气体注入喷嘴，同时施加负偏压至所述气体注入喷嘴。
5.如权利要求4所述的方法，其中在所述扫描步骤期间，所述气体注入喷嘴的第一端相邻于所述区域定位，并且所述气体注入喷嘴的第二端延伸穿过所述真空腔室的部件的导电壁，并且与所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理样品的区域的方法，所述方法包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述扫描期间，所述导电结构定位在距离所述区域五毫米或更小位置处。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述导电结构包含位于所述fib柱的柱帽与所述样品之间的气体注入喷嘴。
4.如权利要求3所述的方法，所述方法进一步包含：加热所述气体注入喷嘴，同时施加负偏压至所述气体注入喷嘴。
5.如权利要求4所述的方法，其中在所述扫描步骤期间，所述气体注入喷嘴的第一端相邻于所述区域定位，并且所述气体注入喷嘴的第二端延伸穿过所述真空腔室的部件的导电壁，并且与所述壁电绝缘但热耦合。
6.如权利要求1或2所述的方法，其中所述导电结构包含电压引脚，所述电压引脚可操作以在所述区域的100微米之内移动。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述样品包括在所述样品的上表面上形成的非导电层，并且所述聚焦步骤横跨所述样品的所述区域扫描所述聚焦离子束，从而铣削所述非导电层的一部分。
8.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述样品包含半导体基板并且在所述扫描期间，所述导电结构经定位与所述区域相距5微米至1.5毫米之间。
9.一种用于处理样品的区域的系统，所述系统包含：
10.如权利要求9所述的系统，其中所述导电结构经定位在距离所述样品的所述区域1.5毫米或更小位置处。
11.如权利要求9所述的系统，所述系统进一步包含处理器及耦接至所述处理器的存储器，所述存储器包括多个计算机可读指令，当所述指令由所述处理器执行时，使得所述系统进行以下操...
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