半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种集成度高的半导体装置(10)。半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层(110)，其中，第一晶体管(M2)包括第一半导体层(108)、第二绝缘层(106)及第一至第三导电层，第二晶体管(M1)包括第二半导体层(109)、第三绝缘层(106)及第四至第六导电层，第一绝缘层具有位于第一导电层(112a)上且到达第一导电层的开口，第二导电层(112b)位于第一绝缘层上，第一半导体层与第一导电层的顶面、开口的内壁及第二导电层接触，第三导电层(104)位于第二绝缘层上的与开口的内壁重叠的位置，第三绝缘层位于第四导电层(112b)上，第二半导体层以与第四导电层重叠的方式位于第三绝缘层上，并且，在剖视时，第五导电层(116a)接触于第二半导体层的侧端部的一个顶面，第六导电层(116b)接触于与一个侧端部相对的侧端部的另一个顶面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、显示模块及电子设备。本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法及显示装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本专利技术的一个方式的的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器等)、输入输出装置(例如，触摸面板等)、安装它们的电子设备、它们的驱动方法或它们的制造方法。

技术介绍

1、包括晶体管的半导体装置被广泛地应用于显示装置及电子设备，半导体装置被要求高集成化及高速化。例如，在将半导体装置用于高清晰显示装置的情况下，需要实现高集成化的半导体装置。作为提高晶体管的集成度的方法之一，已在进行微型晶体管的研究开发。

2、近年来，对可用于虚拟现实(vr：virtual reality)、增强现实(ar：augmentedreality)、替代现实(sr：substitutional reality)或者混合现实(mr：mixed reality)的显示装置的需求很高。将vr、ar、sr及mr总称为xr(extended本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

6.一种半导体装置，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，

9.根据权利要求6或7所述的半导体装置，

10.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

6.一种半导体装置，包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：保坂泰靖，井口贵弘，三泽千惠子，佐藤亚美，土桥正佳，神长正美，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：