全包围栅极场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种全包围栅极场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，延展结构包括源极延展结构和/或漏极延展结构，源极、栅极结构、漏极、源极延展结构和漏极延展结构均设置于衬底的同一侧，栅极结构设置于源极与漏极之间，源极延展结构设置于源极与栅极结构之间，漏极延展结构设置于漏极与栅极结构之间，源极和漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，源极延展结构和漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，源极和源极延展结构的离子掺杂浓度不同，漏极和漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。本发明专利技术能够优化晶体管性能，提高电路设计的灵活度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种全包围栅极场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、随着集成电路中金属-氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的尺寸缩放到5nm以下，纳米片型全包围栅极场效应晶体管(nanosheet gaafet)因其栅极具有可控性而被视为首选方案，然而，栅诱导漏极泄漏电流(gidl)导致的晶体管漏电是nanosheet gaafet面临的一个重要问题，这不仅会增加芯片的静态功耗，更会影响晶体管的可靠性。其次，由于电子迁移率明显大于空穴迁移率，p型场效应晶体管(pmos)想要保持和n型场效应晶体管(nmos)相匹配的性能，pmos的宽长比为nmos宽长比的2.5-3.5倍左右，这会极大限制单位面积内的晶体管数量。

2、现有的全包围栅极场效应晶体管结构如图20所示，且在源极和漏极中进行掺杂。为了使得pmos和nmos拥有大体相同的开态电流，该器件是通过调节pmos的宽长比实现开态电流的调节的，对于面积有非常大的要求。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种全包围栅极场效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全包围栅极场效应晶体管，其特征在于：包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，所述延展结构包括源极延展结构和/或漏极延展结构，所述源极、所述栅极结构、所述漏极、所述源极延展结构和所述漏极延展结构均设置于所述衬底的同一侧，所述栅极结构设置于所述源极与所述漏极之间，所述源极延展结构设置于所述源极与所述栅极结构之间，所述漏极延展结构设置于所述漏极与所述栅极结构之间，所述源极和所述漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，所述源极延展结构和所述漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，所述源极和所述源极延展结构的离子掺杂浓度不同，所述漏极和所述漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。<...

【技术特征摘要】

1.一种全包围栅极场效应晶体管，其特征在于：包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，所述延展结构包括源极延展结构和/或漏极延展结构，所述源极、所述栅极结构、所述漏极、所述源极延展结构和所述漏极延展结构均设置于所述衬底的同一侧，所述栅极结构设置于所述源极与所述漏极之间，所述源极延展结构设置于所述源极与所述栅极结构之间，所述漏极延展结构设置于所述漏极与所述栅极结构之间，所述源极和所述漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，所述源极延展结构和所述漏极延展结构均为进行p型离子掺杂的延展结构，所述源极和所述源极延展结构的离子掺杂浓度不同，所述漏极和所述漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。

2.根据权利要求1所述的全包围栅极场效应晶体管，其特征在于：所述延展结构包括所述源极延展结构和所述漏极延展结构。

3.根据权利要求1或2所述的全包围栅极场效应晶体管，其特征在于：n型场效应晶体管的所述源极和所述漏极分别为进行n型离子掺杂的源极和进行n型离子掺杂的漏极，所述n型场效应晶体管的所述源极延展结构的p型离子掺杂浓度高于所述源极的n型离子掺杂浓度，所述n型场效应晶体管的所述漏极延展结构的p型离子掺杂浓度高于所述漏极的n型离子掺杂浓度。

4.根据权利要求1或2所述的全包围栅极场效应晶体管，其特征在于：p型场效应晶体管的所述源极和所述漏极分别为进行p型离子掺杂的源极和进行p型离子掺杂的漏极，所述p型场效应晶体管的所述源极延展结构的p型离子掺杂浓度高于所述源极的p型离子掺杂浓度，所述p型场效应晶体管的所述漏极延展结构的p型离子掺杂浓度高...

【专利技术属性】
技术研发人员：任开琳，马亮，张建华，程小宇，胡扬阳，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：