一种可视化MoS2单晶薄膜制备方法技术

为了解决传统CVD法制备MoS<subgt;2</subgt;单晶薄膜工艺中，由于工艺过程未知，经常无法稳定、可控的生长出MoS<subgt;2</subgt;单晶薄膜的问题，通过改进的工艺方法并配合原位观测装置，能有效得确保生长出MoS<subgt;2</subgt;单晶薄膜的成功率和稳定性；本发明专利技术中，通过显微镜原位观测生长过程中前驱体状态和形貌确定通入硫源的时间；可以防止因为硫源进入体系的时间不对而导致实验的失败；通过显微镜原位观测生长的MoS<subgt;2</subgt;单晶薄膜的形态确定反应体系中硫组分浓度对反应过程的影响，以达到反应过程中通过控制硫源浓度控制MoS<subgt;2</subgt;单晶生长的形貌和质量；通过显微镜原位观测生长的MoS<subgt;2</subgt;单晶薄膜是否开始被腐蚀确定反应停止的时间，防止反应过程中产生的副产物破坏MoS<subgt;2</subgt;单晶薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mos2单晶薄膜制备领域，尤其是一种可视化mos2单晶薄膜制备方法。

技术介绍

1、 二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transitionmetaldichalcogenides, 2d-tmdcs)是继石墨烯之后，又一类重要的二维材料。二维 tmdcs由于其良好的物理、化学性质已经被研究并广泛应用于电学、热电学、光电学、传感器和催化等诸多领域。尤其是二维 mos2，mos2 是一种半导体材料，其导电性介于导体和绝缘体之间，其导电性可通过控制材料的掺杂和结构来调节。此外，mos2 在高温和高压条件下仍然保持稳定，这使得它在极端条件下的电子器件中仍极具

2、应用前景。单层 mos2 被认为是下一代电子器件和集成电路的替代材料，具有体积小、重量轻、厚度薄、响应速度快等特点，然而要制备具有理想晶体质量和光电性能的大面积连续单层 mos2 薄膜，仍具有较大的挑战性。

3、通常单层mos2是用机械剥离、 化学气相沉积或者水热法制备的具有三角形的二维材料晶体。由于传统的机械剥离方法难以实现 mos2 在产率本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可视化MoS2薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1的一种可视化MoS2薄膜制备方法，其特征在于，步骤S1中Mo源前驱体还包括NaCl，取MoO3粉末和NaCl充分均匀研磨，混合成Mo源前驱体。

3.根据权利要求1的一种可视化MoS2薄膜制备方法，其特征在于，步骤S1中的衬底选自硅片、云母、蓝宝石。

4.根据权利要求1的一种可视化MoS2薄膜制备方法，其特征在于，步骤S2中的升温程序为，升温至850℃后保温。

5.根据权利要求4的一种可视化MoS2薄膜制备方法，其特征在于，所述升温程序的升温速率为15min升温...

【技术特征摘要】

1.一种可视化mos2薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1的一种可视化mos2薄膜制备方法，其特征在于，步骤s1中mo源前驱体还包括nacl，取moo3粉末和nacl充分均匀研磨，混合成mo源前驱体。

3.根据权利要求1的一种可视化mos2薄膜制备方法，其特征在于，步骤s1中的衬底选自硅片、云母、蓝宝石。

4.根据权利要求1的一种可视化mos2薄膜制备方法，其特征在于，步骤s2中的升温程序为，升温至850℃后保温。

5.根据权利要求4的一种可视化mos2薄膜制备方法，其特征在于，所述升温程序的升温速率为15min升温至850℃。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王迪，吴国政，许向鹏，余承军，
申请(专利权)人：苏州基元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：