【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生长炉，尤其涉及一种多坩埚晶体生长炉。
技术介绍
1、晶体生长炉是一种用于在控制环境下培养晶体的设备，这种设备在科学研究、材料制备和工业生产中都有广泛的应用，晶体生长炉通过提供特定的温度、压力和溶液条件，促使溶液中的溶质以晶体形式沉淀或结晶，这样可以控制晶体的生长速率、形状和质量。
2、多坩埚晶体生长炉内部设置多个坩埚，可以同时制备多个晶体，现有技术中的多坩埚晶体生长炉在工作时，需要工作人员逐一向每个坩埚内添加等量的晶体生长原料，这会导致劳动量的增加，手动操作的繁琐性可能会导致工作效率低下，且由于人为因素，每个坩埚内的原料份量可能会有较大的差异，而份量较多的原料需要加热的时间也相对来说较长，而这些坩埚位于同一个炉体内，这样导致整个加热时间会延长，影响晶体制备的效率，且在梯度冷却结晶阶段，由于每个坩埚的下降速度相同，这样会导致份量较多的原料内部冷却不充分，进而影响晶体制备的质量。
3、所以，需要设计一种多坩埚晶体生长炉来解决上述问题。
技术实现思路
1、...
【技术保护点】
1.一种多坩埚晶体生长炉，包括支架(1)，所述支架(1)上安装有晶体生长炉(2)，其特征在于，所述晶体生长炉(2)的内部设有放置板(3)，所述放置板(3)上设有若干坩埚(4)，所述支架(1)上设有升降装置(5)，所述升降装置(5)的输出轴与放置板(3)相连接，所述晶体生长炉(2)上固定有固定架(6)，所述固定架(6)上设有储料罐(7)，所述储料罐(7)与晶体生长炉(2)之间共同设有进料组件，所述固定架(6)上还设有用于均匀进料的振动组件。
2.根据权利要求1所述的一种多坩埚晶体生长炉，其特征在于，所述进料组件包括连通设置在储料罐(7)底部的若干连接管(8)...
【技术特征摘要】
1.一种多坩埚晶体生长炉，包括支架(1)，所述支架(1)上安装有晶体生长炉(2)，其特征在于，所述晶体生长炉(2)的内部设有放置板(3)，所述放置板(3)上设有若干坩埚(4)，所述支架(1)上设有升降装置(5)，所述升降装置(5)的输出轴与放置板(3)相连接，所述晶体生长炉(2)上固定有固定架(6)，所述固定架(6)上设有储料罐(7)，所述储料罐(7)与晶体生长炉(2)之间共同设有进料组件，所述固定架(6)上还设有用于均匀进料的振动组件。
2.根据权利要求1所述的一种多坩埚晶体生长炉，其特征在于，所述进料组件包括连通设置在储料罐(7)底部的若干连接管(8)，所述晶体生长炉(2)上连通设有与坩埚(4)数量相匹配的进料管(9)，所述连接管(8)与进料管(9)一一正对设置，所述连接管(8)的一端位于进料管(9)的内部，且连接管(8)与进料管(9)滑动连接，所述进料管(9)上设有电磁阀(10)，所述进料管(9)位于晶体生长炉(2)内部的一端与坩埚(4)正对设置。
3.根据权利要求1所述的一种多坩埚晶体生长炉...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。