一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶及其制备方法技术

本发明专利技术属于材料制备技术领域，具体涉及一种大尺寸层状GeSb<subgt;4</subgt;Te<subgt;7</subgt;单晶及其制备方法。本发明专利技术方法包括(1)称量原料Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒；(2)将原料颗粒置于石英坩埚并抽真空；(3)将石英坩埚固定于立式炉的炉膛的温度梯度区，进行程序控温，获得单晶锭体；(4)将装单晶锭体的石英坩埚的位置调节到所述立式炉热电偶位置的上下各3cm区域范围内退火处理，随后得到所述大尺寸层状GeSb<subgt;4</subgt;Te<subgt;7</subgt;单晶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料制备，具体涉及一种大尺寸层状gesb4te7单晶及其制备方法。

技术介绍

1、热电转换技术可实现热能与电能之间的直接相互转化，且在该过程中不产生污染排放和噪声。热电材料有望应用到先进的固态器件上，利用残余热能并将其转化为电能，从而提高燃料的总体利用效率。gesb4te7是一种准二维层状半导体，其具有本征低晶格导率，因此在热电应用中具有较高的潜力。然而，到目前为止，gesb4te7基热电材料的主要研究方向大多集中于多晶材料，有关gesb4te7单晶材料热电性能的研究鲜有报道。

2、文献资料《具有准二维结构的gesbte基化合物热电性能研究》(中国科学院大学，202006)公开了一种采用熔融-淬火-退火过程来制备gesb4te7块体样品的方法。该方法将锗(ge，99.999％)、锑(sb，99.999％)和碲(te，99.999％)放入真空石英管中，然后把石英管放入高温熔炉中，经过升温-保温-淬火处理，得到纯相样品。进一步将得到的样品研磨成粗细均匀的粉末，然后再将粉末烧结压成致密块体。可见，该专利制备出的gesb4te7是一种多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法为降温法，具体步骤如下：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S02中对所述石英坩埚进行抽真空抽至真空度为小于等于1Pa。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S03中以0.5-1.5℃/min的速率升温至900-1000℃，保持3-10h。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S04中使温度以0.5-1℃/min的速率降至700-800℃。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S05中使温度以1-2℃/h的速率降至55...

【技术特征摘要】

1.一种大尺寸层状gesb4te7单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法为降温法，具体步骤如下：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s02中对所述石英坩埚进行抽真空抽至真空度为小于等于1pa。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s03中以0.5-1.5℃/min的速率升温至900-1000℃，保持3-10h。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s04中使温度以0.5-1℃/min的速率降至700-800℃。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s05中使温度以1-2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，吴宏，闫艳慈，李登峰，刘俊，丁光前，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：