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为了解决传统CVD法制备MoS<subgt;2</subgt;单晶薄膜工艺中，由于工艺过程未知，经常无法稳定、可控的生长出MoS<subgt;2</subgt;单晶薄膜的问题，通过改进的工艺方法并配合原位观测装置，能...
该专利属于苏州基元科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州基元科技有限公司授权不得商用。

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