本发明专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的导电层、位于所述衬底上方的多孔介质层以及至少贯穿所述多孔介质层且暴露所述导电层的接触孔；采用物理气相沉积工艺形成覆盖所述接触孔的侧壁的阻挡介质层；形成覆盖所述阻挡介质层和所述导电层的黏附阻挡层；形成填充满所述接触孔并覆盖所述黏附阻挡层的导电插塞。本发明专利技术提降低了半导体结构内的寄生电容效应，并减少了多孔介质层中的缺陷，确保了半导体结构电性能的稳定性和可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、在集成电路的制造过程中，随着基本器件尺寸不断缩小，rc(电阻-电容)延迟效应对器件性能的影响越来越大。降低电阻成为改善器件性能的重要方向。为了改善后段电容，具有低介电常数的介质材料被广泛使用，但由于此材料一般为多孔材料，稳定性较差，在后续制程中容易损伤，导致介电常数升高，影响电学性质。随着器件尺寸缩小，后段金属填充引入原子层沉积氮化钽做为黏附阻挡层，但由于原子层沉积反应物向多孔的低介电常数的多孔介质材料中扩散，使得多孔介质材料的介电常数升高，从而严重影响半导体结构的电学性能。为了解决这一技术问题，在先进逻辑制造(小于<10nm)中选用k值(介电常数值)偏大的材料(例如bd i(black diamondⅰ，黑钻石ⅰ))，此种方案可以一定程度保证良率，但有效电容进一步恶化。
2、因此，如何在降低半导体结构内的寄生电容效应的同时，减少层间介质层中的缺陷，从而确保半导体结构电学性能的稳定性和可靠性，是当前亟待解决的技术问题。
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【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成基底的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述多孔介质层的材料为BD II。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成覆盖所述接触孔的侧壁的阻挡介质层的具体步骤包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡介质层的材料为含硅材料。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相沉积...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成基底的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述多孔介质层的材料为bd ii。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成覆盖所述接触孔的侧壁的阻挡介质层的具体步骤包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡介质层的材料为含硅材料。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成覆盖所述接触孔的侧壁的...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，董信国，孟昭生，贾超超，常靖华，赵朵朵，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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