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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的导电层、位于所述衬底上方的多孔介质层以及至少贯穿所述多孔介质层且暴露所述导电层的接触孔；采用物理气相沉积工艺形成覆盖所述...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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