一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统技术方案

本发明专利技术适用于太阳能电池技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背面设有P区和N区；第一钝化接触结构，包括第一钝化层、第一P型掺杂多晶硅层、第一阻挡层、第二P型掺杂多晶硅层；第二钝化接触结构，包括第二钝化层、第一N型掺杂多晶硅层、第二阻挡层、第二N型掺杂多晶硅层；第一P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度大于第二P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度，第一N型掺杂多晶硅层的N型掺杂剂的掺杂浓度小于第二N型掺杂多晶硅层的N型掺杂剂的掺杂浓度。本发明专利技术的背接触太阳能电池可减少杂质内扩进入硅基底，且可以提高P区的透光率，从而提升电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统。

技术介绍

1、背接触太阳能电池其正/负电极均设计于电池的背面，相比双面太阳能电池，由于背接触太阳能电池的前表面彻底避免了金属栅线的遮挡，杜绝了金属栅线遮挡所带来的光学损失，可以大幅提高电池转化效率。

2、现有技术中，背接触太阳能电池的硅基底背面交替设置有p区和n区，p区和n区分别对应设置有钝化接触结构；其中，p区的钝化接触结构为单层p型掺杂多晶硅层与单层钝化层的组合，n区的钝化接触结构也为单层n型掺杂多晶硅层与单层钝化层的组合。然而，由于背接触太阳能电池的p区和n区的钝化接触结构均为单层掺杂多晶硅层与单层钝化层的组合，在背接触太阳能电池制备工艺中，引入的杂质容易扩散进入硅基底内部，导致太阳能电池钝化效果差，影响太阳能电池效率。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种背接触太阳能电池，旨在解决现有技术的背接触太阳能电池由于钝化接触结构为单层掺杂多晶硅层与单层钝化层，存在背接触太阳能电池钝化效果差，电池效率低的问题。

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【技术保护点】

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度的比值为1～2，且不等于1。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度的比值为1.01～1.50。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二P型掺杂多晶硅层的P型掺杂剂的掺杂浓度为3×1...

【技术特征摘要】

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一p型掺杂多晶硅层的p型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二p型掺杂多晶硅层的p型掺杂剂的掺杂浓度的比值为1～2，且不等于1。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一p型掺杂多晶硅层的p型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二p型掺杂多晶硅层的p型掺杂剂的掺杂浓度的比值为1.01～1.50。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一p型掺杂多晶硅层的p型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二p型掺杂多晶硅层的p型掺杂剂的掺杂浓度为3×1019～15×1019atoms/cm3。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一n型掺杂多晶硅层的n型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二n型掺杂多晶硅层的n型掺杂剂的掺杂浓度的比值为0.5～1。

6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一n型掺杂多晶硅层的n型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二n型掺杂多晶硅层的n型掺杂剂的掺杂浓度为0.5×1020～1.2×1021atoms/cm3。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一p型掺杂多晶硅层的厚度小于所述第二p型掺杂多晶硅层的厚度。

9.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一n型掺杂多晶硅层的厚度小于所述第二n型掺杂多晶硅层的厚度。

10.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二p型掺杂多晶硅层的厚度与所述第一p型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1～30。

11.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二p型掺杂多晶硅层的厚度与所述第一p型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1.5～15。

12.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一p型掺杂多晶硅层的厚度与所述第二p型掺杂多晶硅层的厚度之和为80～210纳米。

13.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一n型掺杂多晶硅层的厚度与所述第二n型掺杂多晶硅层的厚度之和为60～200纳米。

14.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一p型掺杂多晶硅层的厚度与所述第二p型掺杂多晶硅层的厚度之和大于所述第一n型掺杂多晶硅层的厚度与所述第二n型掺杂多晶硅层的厚度之和。

15.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层与所述第一阻挡层的厚度之和为1.5～2.8纳米。

16.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层与所述第一阻挡层的厚度之和大于所述第二钝化层与所述第二阻挡层的厚度之和。

17.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度大于0.8纳米。

18.根据权利要求9所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二n型掺杂多晶硅层的厚度与所述第一n型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1～40。

19.根据权利要求9所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张生利，杨浩成，王永谦，杨新强，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：