温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明适用于太阳能电池技术领域,提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统,背接触太阳能电池包括:硅基底,硅基底的背面设有P区和N区;第一钝化接触结构,包括第一钝化层、第一P型掺杂多晶硅层、第一阻挡层、第二P型掺杂多晶硅层;第二钝化接触结...该专利属于珠海富山爱旭太阳能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海富山爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明适用于太阳能电池技术领域,提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统,背接触太阳能电池包括:硅基底,硅基底的背面设有P区和N区;第一钝化接触结构,包括第一钝化层、第一P型掺杂多晶硅层、第一阻挡层、第二P型掺杂多晶硅层;第二钝化接触结...