【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体,特别是涉及一种涂胶工艺方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中,涂胶显影机承担着至关重要的角色,特别是在光刻工艺中,它与光刻机协同作业,进行微细曝光图案的形成和显影处理。
2、现有的涂胶显影机台在进行涂胶的过程中,随着机台的运行,会出现涂布的光刻胶的膜厚均匀性变差,从而使得涂布的光刻胶不稳定的问题。
3、基于此,亟需一种可以改善光刻胶均匀度,以提高光刻胶稳定性的解决方案。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对在涂胶显影机中光刻胶膜厚均匀性变差,从而引起光刻胶不稳定的问题提供一种涂胶工艺方法。
2、为了实现上述目的,一方面,本专利技术提供了一种涂胶工艺方法,所述涂胶工艺方法包括:
3、将晶圆置于第一冷板上;
4、对所述晶圆进行冷却处理,使所述晶圆的温度处于预设温度;
5、采用机械手抓取处于所述预设温度的所述晶圆,并在所述晶圆的温度变化小于预设变化温度时,将所述晶圆放入涂胶腔内进行涂胶。
6、
...【技术保护点】
1.一种涂胶工艺方法,其特征在于,所述涂胶工艺方法包括:
2.根据权利要求1所述的涂胶工艺方法,其特征在于,所述采用机械手抓取处于所述预设温度的所述晶圆,并在所述晶圆的温度变化小于预设变化温度时,将所述晶圆放入所述涂胶腔内进行涂胶,包括:
3.根据权利要求1所述的涂胶工艺方法,其特征在于,所述涂胶工艺方法还包括:
4.根据权利要求3所述的涂胶工艺方法,其特征在于,所述将所述晶圆放入涂胶腔内进行涂胶之后,还包括:
5.根据权利要求4所述的涂胶工艺方法,其特征在于,所述机械手向所述涂胶腔放置所述晶圆的优先级高于所述机械手从所
...【技术特征摘要】
1.一种涂胶工艺方法,其特征在于,所述涂胶工艺方法包括:
2.根据权利要求1所述的涂胶工艺方法,其特征在于,所述采用机械手抓取处于所述预设温度的所述晶圆,并在所述晶圆的温度变化小于预设变化温度时,将所述晶圆放入所述涂胶腔内进行涂胶,包括:
3.根据权利要求1所述的涂胶工艺方法,其特征在于,所述涂胶工艺方法还包括:
4.根据权利要求3所述的涂胶工艺方法,其特征在于,所述将所述晶圆放入涂胶腔内进行涂胶之后,还包括:
5.根据权利要求4所述的涂胶工艺方法,其特征在于,所述机械手向所述涂胶腔放置所述晶圆的优先级高于所述机械手从所述涂胶腔抓取所述晶圆的优先级。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔理选,
申请(专利权)人:上海积塔半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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